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Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)

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Hesper I E430R外延系統(tǒng)

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務(wù)。

公司目前已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng),優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能。

2. 設(shè)備用途/原理

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能高效傳輸設(shè)計,可提高產(chǎn)能,單、雙、四腔兼容設(shè)計,可滿足不同客戶需求。

3. 設(shè)備特點

晶圓尺寸 12 英寸適用材料 ,適用工藝 埋層外延、選擇性外延 、多晶外延,適用域 科研、集成電路。百科知識;?減壓硅外延系統(tǒng)的工作原理主要涉及在氫等離子體原位清潔過的硅襯底表面上,利用減壓(200~250乇)工藝在980~1000℃的溫度下生長出高質(zhì)量的外延層。?這一過程不僅優(yōu)化了外延層的生長條件,還顯著提高了外延層的結(jié)晶質(zhì)量。具體來說,通過減壓工藝,可以減小襯底-外延層界面的摻雜濃度過渡區(qū),從常壓時的1.0μm減小到0.4μm,同時電阻率和厚度的不均勻性分別小于5%和4%。



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