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PD-220N 化學氣相沉積等離子體CVD系統(tǒng)

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業(yè)。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

PD-220N是用于沉積各種硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等離子體CVD系統(tǒng)。 PD-220N在提供薄膜沉積所需的全部功能的同時,占地面積比本公司的傳統(tǒng)系統(tǒng)小40%。 從研究到半大規(guī)模生產(chǎn),它的應用范圍很廣。

2. 設備用途/原理

各種硅基薄膜的形成,可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。

3. 設備特點

可在?8英寸晶圓上沉積,盡管設計緊湊,但該系統(tǒng)能夠在5塊?3英寸晶圓、3塊?4英寸晶圓和1塊?8英寸晶圓上同時沉積。TEOS-SiO2成膜系統(tǒng)可擴展,可增加TEOS等溫室裝置。等離子體化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術。按產(chǎn)生等離子體的方法,分為射頻等離子體、直流等離子體和微波等離子體CVD等。




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