基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝

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公司名稱 上海攸亦光電科技有限公司
品牌 Micro-Hybrid
型號(hào)
產(chǎn)地
廠商性質(zhì) 代理商
更新時(shí)間 2024/9/25 16:11:16
訪問次數(shù) 1323

產(chǎn)品標(biāo)簽

基于C-MOSI 紅外輻射源 TO39封裝帶有反射器開放式

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公司介紹 主營產(chǎn)品

上海攸亦光電科技有限公司是一家專注于光譜技術(shù)和應(yīng)用開發(fā)的科技企業(yè)，提供紫外，可見，近紅外，中紅外到太赫茲范圍的光電產(chǎn)品，包括光學(xué)元件，光學(xué)儀器，光譜儀，光學(xué)機(jī)械，成像系統(tǒng)，以及各種定制產(chǎn)品和服務(wù)。為科研院所和企業(yè)客戶提供專業(yè)的應(yīng)用咨詢和產(chǎn)品解決方案。

展開

光學(xué)元件、光學(xué)儀器、光纖器件、光學(xué)成像、光機(jī)械

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝

描述

JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法?；贑MOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測(cè)量距離長達(dá)2厘米。

我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個(gè)多層熱板膜片，內(nèi)含一個(gè)高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米，基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成?；钚訡-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應(yīng)用

lNDIR氣體檢測(cè)

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨氣、二氧化硫、六氟化硫以及成熟氣體如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特點(diǎn)

l由于芯片膜片的低熱質(zhì)量，時(shí)間常數(shù)為11毫秒

l高膜片溫度高達(dá)770°C，有效芯片面積為2.2 x 2.2平方毫米

l長期穩(wěn)定的芯片結(jié)構(gòu)

l光譜帶寬從2到15微米

lCMOSI芯片技術(shù)

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)	值	單位
光譜輸出范圍	2 ... 15	μm
有效面積	2.2 x 2.2	mm2
耐熱1	18 ± 5	Ω
溫度系數(shù)2	1100	ppm/K
時(shí)間常數(shù)0-63%	11	ms
標(biāo)稱功耗3	650	mW
工作電壓4	3.4	mV
工作電流4	190	mA
推薦驅(qū)動(dòng)模式	Power mode
活動(dòng)區(qū)域溫度1,5,7	540 ± 30	°C
外殼	TO39
預(yù)計(jì)使用壽命6,8	> 5000 h at 770 °C; > 100000 h at 540 °C
最大輸入功率	1200	mW
外殼最高溫度8	185	°C
活動(dòng)區(qū)域最高溫度	770	°C