AP Tech 熱離子發(fā)射陰極

在熱離子狀態(tài)下工作的陰極被加熱到高溫。當(dāng)電子具有足夠的熱能來克服制造陰極的材料的功函數(shù)時，就會發(fā)生發(fā)射。

我們的熱離子陰極由六硼化鑭（LaB6）和六硼化鈰（CeBix®）制成。LaB6和CeBix®都是低功函數(shù)材料，可生產(chǎn)相對高亮度的陰極，有適度的真空要求和較長的保質(zhì)期。這些陰極在高達20A/cm2的電流密度下提供長期、穩(wěn)定的操作，使其非常適合小光斑應(yīng)用，如SEM、TEM、電子束滅菌、表面分析和計量，以及大電流應(yīng)用，如x射線生成、光刻和增材制造。

AP Tech 熱離子發(fā)射陰極

在APT，我們在內(nèi)部種植和制造我們自己的高質(zhì)量單晶LaB6和CeBix®，使用一種生產(chǎn)商業(yè)上最純和功函數(shù)材料的工藝。經(jīng)過精煉，我們的硼化物可以定制成各種形狀，具有不同的加熱、安裝和底座配置，所有這些都是為了滿足客戶的操作和性能要求而設(shè)計的。

由于功函數(shù)LaB6略低，CeBix®陰極在略低的工作溫度下產(chǎn)生更高的電流。因此，CeBix®光源的亮度略高，使用壽命更長。APT是世界上CeBix®陰極生產(chǎn)商。

我們還可以分別提供LaB6和CeBix®單晶棒和單晶盤。

熱場發(fā)射器（TFE）像熱離子發(fā)射器一樣被加熱，但也被電化學(xué)蝕刻以具有微觀上尖銳的，類似于冷場發(fā)射器的方式。在操作過程中，由于發(fā)射器的銳度及其對抑制器的定向，在源會產(chǎn)生非常高的電場。場對勢壘的降低和通過加熱提供給電子的熱能產(chǎn)生了能夠在非交叉模式（或虛擬源模式）下操作的源。因此，與熱離子發(fā)射器不同，TFE不受空間電荷限制，并且比典型的熱離子源亮幾個數(shù)量級。

APT現(xiàn)在提供鋯化鎢熱場發(fā)射器（ZrOW-TFE），俗稱肖特基源。ZrOW-TFE是電子束應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射器，要求高亮度、提高空間分辨率、穩(wěn)定發(fā)射和長壽命。我們的ZrOW源符合通用OEM性能規(guī)范和操作參數(shù)，可以使用定制的末端形狀（半徑）幾何形狀和任何發(fā)射極-基極/抑制器配置制造，包括FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL或定制配置。