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SC2010 MOS場效應(yīng)管參數(shù)測試儀

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 西安中昊芯測科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 SC2010
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/3/10 23:01:40
  • 訪問次數(shù) 71

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  西安中昊芯測科技有限公司,是一家專業(yè)從事半導體電性能測試設(shè)備開發(fā)制造、電參數(shù)測試方案搭建、綜合測試分析服務(wù)于一體的技術(shù)服務(wù)型企業(yè),

核心業(yè)務(wù)為半導體分立器件電學參數(shù)測試設(shè)備的開發(fā)制造,產(chǎn)品主要涉及分立器件測試儀、MOS管測試儀、IGBT測試儀、晶閘管測試儀、光耦測試儀、

繼電器測試儀、功率循環(huán)、環(huán)境老化、雪崩浪涌等測試系統(tǒng),產(chǎn)品具有高速智能、高精度、寬量程等技術(shù)優(yōu)勢,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高校、科院院所、家電、

新能源汽車、軌道交通、半導體器件設(shè)計制造公司的器件測試驗證、參數(shù)評估、電子廠來料檢驗、實驗室失效分析、器件選型、參數(shù)配對、壽命預估等諸多領(lǐng)域。

同時提供高性價比的器件測試服務(wù),測試項目包括功率半導體器件的電學測試、失效分析、可靠性、環(huán)境試驗等。

我司與西安電力電子所,西安交通大學微電子學院有著深度合作關(guān)系,在半導電測試領(lǐng)域有著超過10年的行業(yè)經(jīng)驗。本著科技創(chuàng)新,服務(wù)無限的經(jīng)營理念,

我司積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,致力于提供高性能、低成本的國產(chǎn)測試設(shè)備,為我國半導體測試設(shè)備國產(chǎn)化貢獻一份微薄力量!


專注半導體分立器件測試系統(tǒng),功率器件動靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),美國STI5000系列測試機維修、計量校準、夾具定制等相關(guān)技術(shù)服務(wù),非標測試方案搭建!

MOS管參數(shù)測試儀SC2015

 

一、產(chǎn)品簡介/特點

MOS管參數(shù)測試儀SC2015主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對場效應(yīng)管或IGBT的批量測量,篩選非常適合來料檢驗使用。
1、采用高精度AD,滿足測量精度,而高速微處理器和電子開關(guān),使測量工作迅速、高效、寧靜。采用脈沖測量法,可以提供10A~75A以上的測試電流,而不會使被測管子發(fā)熱。有自動均流功能,確保被測管安全。
2、有自檢功能、測量判斷功能以及故障報警指示功能,當不是Vmos管時或錯插等,測量不能繼續(xù)。在測量前后,測量插座柵源之間是短路狀態(tài),以確保被測量管插入或拔出管座時的安全。
3、有20A~150A容量選擇,即便是選錯電流檔電流測量小容量管子,也不會損害被測管。
4、您可以按需要設(shè)定分選參數(shù)范圍??稍O(shè)定的有:開啟電壓Ut、跨導Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對于超限的測量,蜂鳴器會報警,并且哪個參數(shù)超限,會閃爍提示,用戶可以不大理會符合標準的參數(shù)具體數(shù)據(jù),只在報警時注意閃爍的參數(shù),這樣極大的方便了工業(yè)批量測量。
5、使用簡單,不需要專業(yè)知識。

6、規(guī)格尺寸240*350*130mm(寬*深*高),桌面小臺式結(jié)構(gòu),采用鋁合金冷拉型板為框架,支腳可調(diào)。

7、工作臺有TO220和3P插座,面板設(shè)有容量選擇,以及220/3P選擇,方便用戶使用。
二、性能指標:
1、測量VMOS管可同時顯示:
 通態(tài)電阻Ron1~999mΩ (超過999 mΩ時,自動轉(zhuǎn)為9.99Ω擋)
 跨導Gfs0~99.9S

耐壓Bv:0~1999V
 開啟電壓Ut0~12V
 極間電容Cir0.1~9.9 (np)

通態(tài)電流Id:0-129.9V
2、如果您需要,通過輔助功能鍵,還可以得到:
 a、Cir 1% nP精度;
 b、Ut 1%V 精度;
 c、測量Ron時的: Ids(max A),Vds(min V);
 d、以及測量Ggs時:Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
3、10位LED顯示。
4、設(shè)備供電160V~230V 正常工作。
三、測試參數(shù):

1)二極管Diode

靜態(tài)參數(shù):BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降;

2三極管Transistor

靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VCESAT/飽和壓降

(2)場效應(yīng)管MOSFET

靜態(tài)參數(shù):BVDSS/漏源極擊穿電壓,Ut/開啟電壓,Ids/漏源極漏電流,Vf/二極管正向壓降;Ron/導通內(nèi)阻,Gfs/跨導,Cir/極間電容

3)晶體管IGBT

靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降

應(yīng)用領(lǐng)域:

電子廠的功率器件來料檢驗、器件廠的產(chǎn)品分選、電子產(chǎn)品研發(fā)的選型配對、電子產(chǎn)品維修檢驗等。

 


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