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IMC-200 離子注入機/法國IBS

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訂貨量 ≥1
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上海麥科威半導體技術有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設備的供應商,所銷售的儀器設備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術有限公司主要銷售產品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術, 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫(yī)科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業(yè)大學, 南京醫(yī)科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業(yè)技術學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫(yī)學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術大學, 理化技術研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農業(yè)協同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導體設備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

尺寸 8寸

等離子中束流離子注入機產品介紹:

離子注入機由離子源、質量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,可以根據實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子,決定要注入離子的種類和束流強度。離子源直流放電或高頻放電產生的電子作為轟擊粒子,當外來電子的能量高于原子的電離電位時,通過碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外,還出現正電子和二次電子。正離子進入質量分析器選出需要的離子,再經過加速器獲得較高能量,由四級透鏡聚焦后進入靶室,進行離子注入。離子注入機/法國IBS

離子注入機/法國IBS是集成電路制造前工序中的關鍵設備,離子注入是對半導體表面附近區(qū)域進行摻雜的技術,其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴散等方面進行精確的控制,克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命,降低了成本和功耗。離子注入機廣泛用于摻雜工藝,可以滿足淺結、低溫和精確控制等要求,已成為集成電路制造工藝中的關鍵裝備。

等離子中束流離子注入機特點:

?精確控制離子束流

?精確控制加速電壓

?占地小,操作簡單,運行成本低

?特別適合于研發(fā)應用

?適用于4”~6”晶片,小可用于1*1cm2樣品(室溫)

?4”熱注入模式,高溫度可達600度

?2個帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源,可使溫度達750度

?1個Bernas離子源

?非凡的鋁注入能力

?一個主氣箱,配有4個活性氣體管路;一個副氣箱,配有4個中性氣體管路

?高價樣品注入能力

?注入角0~15度

?IBS的矢量掃描系統(tǒng)

?手動裝載/卸載用于標準注入和熱注入,自動25片cassette裝載用于標準腔室

?遠程操作控制接觸屏(5米鏈接線纜)

?輻射低于0.6usv/hour

離子注入機/法國IBS工藝性能:

?2~210keV

?束流:4”晶片100keV時,大于900uA (As, P),大于450uA (B)

?劑量范圍:1*1011*1018~at/cm2

?片內非均勻性:1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅,注B,100kev,1*1014at/cm2

?片間均勻性:1s≤1%

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