德國(guó)aixACCT鐵電分析儀介紹：

自1995年以來(lái)，德國(guó)aixACCT Systems一直致力于開(kāi)發(fā)用于材料表征和壓電材料組件測(cè)試的模塊化系統(tǒng)，專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)以及與我們的研究和工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的合作為我們提供了市場(chǎng)上的壓電材料表征技術(shù)。作為技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)豐富的專(zhuān)家，我們不斷開(kāi)發(fā)表征解決方案，以便您能夠快速可靠地實(shí)現(xiàn)您的目標(biāo)。我們的動(dòng)力是不斷突破可能性的極限。我們重新思考技術(shù)并不斷調(diào)整它們以滿(mǎn)足您的需求。作為技術(shù)和專(zhuān)家，我們?yōu)榇髮W(xué)、研發(fā)工程和生產(chǎn)提供解決方案。

TF Analyzer鐵電分析儀技術(shù)指標(biāo)：

來(lái)自德國(guó)aixACCT公司的鐵電分析儀，包括眾多型號(hào)及選配件，模塊化設(shè)計(jì)的aixACCT鐵電分析儀具有優(yōu)異的擴(kuò)展性。該系統(tǒng)可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

TF ANALYZER 1000緊湊型鐵電壓電分析儀：

TF ANALYZER 1000是一款緊湊型鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，適用于薄膜、厚膜和塊狀陶瓷及鐵電器件等分析測(cè)試。

德國(guó)aixACCT鐵電分析儀主要技術(shù)指標(biāo)：

電壓范圍：±12V標(biāo)配 （可擴(kuò)展到+/-10kV）

測(cè)試頻率：0.01Hz～1000Hz

疲勞測(cè)試頻率：50kHz

最小脈沖寬度：20μs

輸出電阻：50Ω

電容：100nF

輸出電流：+/-50mA

電流放大器：電流大小范圍：1nA~1A

可測(cè)試功能：

測(cè)試軟件aixPlorer基于Windows 7操作系統(tǒng)，操作極為便捷

測(cè)試功能：

- 動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn) (Hysteresis)：測(cè)試頻率0.01Hz~1000Hz

- 疲勞 (Fatigue)：50KHz

- 保持力 (Retention)

- 印跡 (Imprint)

- 漏電流測(cè)試 (Leakage Current)

- C(V) 曲線(xiàn)測(cè)試

- 壓電性能測(cè)試 (蝴蝶曲線(xiàn)、d33曲線(xiàn))

- 變溫性能測(cè)試 (Thermo Measurement)

TF ANALYZER 2000E模塊化鐵電壓電分析儀：

TF ANALYZER 2000E是一款擴(kuò)展性的模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

模塊化設(shè)計(jì)的TF Analyzer 2000 E具有優(yōu)異的擴(kuò)展性。

FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試；

MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試；

RX模塊-弛豫電流測(cè)試；

DR模塊-自放電測(cè)試。

測(cè)試基本單元：包括內(nèi)置完整的專(zhuān)用計(jì)算機(jī)主機(jī)和測(cè)試版路、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等，Windows 7操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專(zhuān)用測(cè)試軟件等。

FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能：

Dynamic Hysteresis動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊0.001Hz~5kHz）；

Static Hysterestic靜態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試；

PUND脈沖測(cè)試；

Fatigue疲勞測(cè)試；

Retention保持力；

Imprint印跡；

Leakage current漏電流測(cè)試；

Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能。

FE模塊可選測(cè)試功能：

C-V curve電容-電壓曲線(xiàn)；

Piezo Measurement壓電性能測(cè)試；

Pyroelectric Measurement熱釋電性能測(cè)試；

In-situ Compensation原位補(bǔ)償；

DLCC動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能。

技術(shù)說(shuō)明：

電壓范圍：+/-25V（可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/-10KV）；

電滯頻率：5kHz（標(biāo)準(zhǔn)FE模塊）；

最小脈沖寬度：2μs；

最小上升時(shí)間：1μs；

電流放大范圍：1pA～1A；

負(fù)荷電容：1μF；

輸出電流峰值：+/-1A。

可擴(kuò)展部件：

高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS等。

MR模塊是用來(lái)研究磁阻和鐵性材料的。

此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試，樣品上的電壓降通過(guò)高精度四點(diǎn)測(cè)試。

RX模塊是用來(lái)研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。

該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開(kāi)，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。

DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。

由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用，TF Analyzer 2000E提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道，大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。

以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。

TF ANALYZER 3000E高速型模塊化鐵電壓電分析儀：

TF ANALYZER 3000E是一款擴(kuò)展性的高速型模塊化鐵電壓電分析儀，具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能，可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

模塊化設(shè)計(jì)的TF Analyzer 3000具有優(yōu)異的擴(kuò)展性。

FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試；

MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試；

RX模塊-弛豫電流測(cè)試；

DR模塊-自放電測(cè)試。

測(cè)試基本單元：包括內(nèi)置完整的專(zhuān)用計(jì)算機(jī)主機(jī)和測(cè)試版路、運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)處理單元等，Windows 7操作系統(tǒng)、鐵電分析儀專(zhuān)用測(cè)試軟件等。

FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能：

Dynamic Hysteresis動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率（增強(qiáng)型FE模塊250kHz，高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz）；

Static Hysterestic靜態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試；

PUND脈沖測(cè)試；

Fatigue疲勞測(cè)試；

Retention保持力；

Imprint印跡；

Leakage current漏電流測(cè)試；

Thermo Measurement變溫測(cè)試功能。

FE模塊可選測(cè)試功能：

C-V curve電容-電壓曲線(xiàn)；

Piezo Measurement壓電性能測(cè)試；

Pyroelectric Measurement熱釋電性能測(cè)試；

In-situ Compensation原位補(bǔ)償；

DLCC動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能；

Impedance Measurement 阻抗測(cè)試 (僅適用于高速增強(qiáng)型)。

技術(shù)說(shuō)明：

電壓范圍：+/-25V（可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/-10KV）；

電滯頻率：增強(qiáng)型FE模塊250kHz，高速增強(qiáng)型FE模塊1MHz；

最小脈沖寬度：50ns；

最小上升時(shí)間：10ns；

疲勞頻率：16MHz；

電流放大范圍：1pA～1A；

負(fù)荷電容：1nF；

輸出電流峰值：+/-1A。

可擴(kuò)展部件：

高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS、阻抗分析儀等。

MR模塊是用來(lái)研究磁阻和鐵性材料的。

此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試，樣品上的電壓降通過(guò)高精度四點(diǎn)測(cè)試。

RX模塊是用來(lái)研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的，即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)。

該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開(kāi)，并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。

DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性。

由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過(guò)這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用，TF Analyzer 3000提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道，大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。

以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。