FZ-T-10000-H 高溫高壓光浮區(qū)單晶爐/日本CSC
- 公司名稱 上海麥科威半導體技術有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 FZ-T-10000-H
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2025/6/23 15:04:28
- 訪問次數(shù) 138
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高溫高壓光浮區(qū)單晶爐/日本CSC能夠提供2200℃以上的生長溫度,晶體生長腔壓力可達300bar,甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。
高溫高壓光浮區(qū)單晶爐/日本CSC技術參數(shù):
模型fz-t-10000h -八世(vpo)電腦
鹵素燈系統(tǒng)
燈和鏡子的數(shù)量4個
鏡子數(shù)量4片
壓力0.95 MPa
真空6.7×10-3Pa (5×10-5Torr)
(石英管)
常壓φ50mm/365mm長/2mm厚
高壓φ50mm/365mm長/5mm厚
軸密封為o型密封圈
Max溫度2200℃
常溫1850℃
燈功率1200w (300W×4個燈)
4,000W (1,000Wx4盞燈)
6,000W (1,500W×4盞燈)
鏡臺/軸鏡臺與上軸垂直轉(zhuǎn)移
周圍溫差
桿面<30℃
燈具冷卻空氣
鏡面冷卻空氣
Max晶體長度(mm) 150
Max進給長度(mm) 150
生長罕見緩慢移動0.01~300mm/hr
生長速度快移6~150mm/min
軸轉(zhuǎn)速5~100rpm
監(jiān)控CCD攝像頭和LCD
控制系統(tǒng)計算機LabVIEW / Windows 10(帶遠程控制功能)
手動Hand-control-box
①5L/min氬氣流量計(*1)
②500cc/min氧流量計
③10L/min帶壓縮機的空氣流量計
公用事業(yè)電力3相200V,40A
水冷:3~5l/min
尺寸(mm)主體W850×D760×H1950
控制箱W605×D760×H1700
備注:
1. 可選燈功率:150W/500W/750W
2. (*1)可更改其他類型的氣體和流量
3. 質(zhì)量保證:
Crystal Systems Corporation保證自安裝之日起一(1)年內(nèi)有效,但以下情況除外不正常使用。(1)燈(2)鏡子(3)石英管等玻璃器皿不在保修期內(nèi)。