測 試 原 理

通過軟件程序控制，讓x射線發(fā)生路產生適合的x射線去激發(fā)測試薄膜材料中的si 或者其他元素，被x 射線激發(fā)后變?yōu)椴环€(wěn)定態(tài),高能層的電子會躍遷到空穴井同時釋放特定能量被探測器接收,因每個元素都有自已特定的能量特征線,通過探測器的識別,計算機軟件的計算,即可準確識別該元素,并計算出含量?！H器采用了大面積的品體硅漂移探測器,分辨率能夠達到 125eV,能分辨 AK鋁)元素和si(硅)元素。

技 術 特 點

測試采用x射線熒光光譜原理,測試過程無需耗材

·光管垂直照射,硅元素性能得到更強激發(fā)

測試下限好,可準確測量 0.01ghn' 的涂硅量

·采用大面積硅漂移探測器,測試結果極其準確

配置高清液品顯示器,測試過程和測試結果一目了然

設備集成多個 u 接口,數據和通訊傳輸滿足多種要求

空氣光路內部環(huán)境得到顯著優(yōu)化,大氣環(huán)境一樣可以直接測試

一鍵測試/操作簡單智能,測試過程使用時間更短,結果更準確

快速采用新的模型算法,大大提高了輕元素的測量穩(wěn)定性