CY-HVM 高真空磁控濺射鍍膜儀
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌
- 型號 CY-HVM
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/7/31 8:49:38
- 訪問次數(shù) 26
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高真空磁控濺射鍍膜儀設(shè)備用途:
用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
高真空磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):
真空室 | 梨型真空室,尺寸? 560×350mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥 | |
極限壓力 | 2.0 * 10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后) | |
恢復(fù)真空時間: | 40 分鐘可達(dá)到6 .6*10-4 Pa 。(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣)
| |
磁控靶組件 | 永磁靶5套;靶材尺寸?60mm(其中一個可濺射磁性材料);各靶射頻灘射和直流裁射兼容;靶內(nèi)水冷;靶與樣品距離 90~130mm可調(diào);
| |
基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺 | 基片結(jié)構(gòu) | 設(shè)計6個工位,其中1個工位安裝加熱爐,其余工位為水冷基片臺 |
樣品尺寸 | ?30mm,可放置6片 | |
運(yùn)動方式 | 0?360℃往復(fù)回轉(zhuǎn) | |
加熱 | 基片加熱*高溫度600℃±1℃ | |
基片負(fù)偏壓 | -200V | |
氣路系統(tǒng) | 質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路 | |
計算機(jī)控制系統(tǒng) | 控制樣品轉(zhuǎn)動,擋板開關(guān),靶位確認(rèn)等 | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 1300×800mm2 |
電控柜 | 700×700m2 |
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