技術(shù)參數(shù)

1. ECR 微波等離子體源&和電源：
•圓形 
    􀁸8, 12 inch等離子體源 
    􀁸頻率2.46 GHz
    􀁸微波發(fā)生器, 電磁鐵和3個(gè)調(diào)諧器
•矩形等離子體源 
    􀁸長(zhǎng)度: 500 to 1,000 mm (up to 2,000 mm for large planar area deposition)
•電源 
    􀁸微波電源: 50 -1,200 W (up to 10 kW)
    􀁸反射微波功率測(cè)量 
    􀁸磁體電源: 600 W (100 V, 6 A)

2.薄膜沉積控制：
•膜厚檢測(cè)和處理時(shí)間可通過計(jì)算機(jī)程序控制
•膜厚檢測(cè)和處理速度可通過計(jì)算機(jī)程序控制 
    􀁸支持大面積沉積（如：氧化硅、氮化硅等） 
    􀁸可升級(jí)為在線 ECR-PECVD系統(tǒng)
•質(zhì)量流量和自動(dòng)壓力控制 
    􀁸質(zhì)量流量控制器：各種氣體 
    􀁸Baratron真空規(guī)：等離子體處理 
    􀁸節(jié)流閥和控制器

3.真空室：
•圓形腔體
    •直徑: φ400 ~ 600 mm (Substrate : 2 to 15 inch)
    •高度: 400 ~ 700 mm
•方形腔體 
    •根據(jù)用戶需求定制

4.真空泵和測(cè)量裝置：
•低真空: 干泵，增壓泵和Convectron真空規(guī)
•高真空: 渦輪分子泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)：PLC, 計(jì)算機(jī)觸摸屏控制