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詳細摘要： 碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細摘要： 二碲化鉿晶體 HfTe2（Hafnium Telluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.395 nm, ...

詳細摘要： 二碲化鉬晶體 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.621 ...

詳細摘要： 二碲化鈮晶體 NbTe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（TC ~ 0.7k）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系，C晶胞參數(shù)：a＝...

詳細摘要： 二碲化鈦晶體 TiTe2（Titanium Ditelluride）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.377 nm...

詳細摘要： 二碲化鎢晶體 WTe2（Tungsten Ditelluride） 晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半金屬，type II Weyl semimetal （WSM）...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓撲絕緣體，熱電材料晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參數(shù)：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）（TCDW ~ 170K）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶晶胞參數(shù)：a = 1.479nm，B = 0.364nm，C =...

詳細摘要： 晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓撲絕緣體，熱電性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.425nm，C = 3.048nm，α=β= 90°...

詳細摘要： 晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW，~ 63K），超導(dǎo)體（TC ~ 2K）晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.5864nm，B = 0.39...

詳細摘要： 二碲化鉬晶體 2H-MoTe2（Molybdenum Ditelluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = ...

詳細摘要： 二碲化鈀晶體 PdTe2 （Palladium Ditelluride）晶體尺寸：2-3毫米電學(xué)性能：金屬，半導(dǎo)體（Tc ~ 1.7K）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)...

詳細摘要： 二碲化鉑晶體 PtTe2（Platina Ditelluride）晶體尺寸：2~3毫米電學(xué)性能：金屬，順磁性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.400...

詳細摘要： 化三鐵（鍺摻雜）晶體（99.995%） Fe3GeTe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,...

詳細摘要： Bismuth Telluride （Bi?Te?） Developed at our facilities since early 2013 to optim...

詳細摘要： Bismuth Selenide Telluride （Bi?Se?.?Te?.?） is developed at our facilities.

詳細摘要： Environmentally stable, perfect, World record size single crystal SnTe?（Tin dise...

詳細摘要： New dimensions in 2D superconductors research: CuFeTe is unique material with hi...

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詳細摘要： The only commercially available TlGaTe2 vdW crystals have been synthesized at ou...