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更新時(shí)間：2024-12-16 09:23:27
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這款混合異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延系統(tǒng)具有雙反應(yīng)器,非常適合А3В5和А2В6異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)應(yīng)用,也可用于epi晶圓研發(fā)和試生產(chǎn)。
混合異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延系統(tǒng)是提供從А3В5-反應(yīng)器到А2В6-反應(yīng)器的超純超高壓基板傳輸，避免生長(zhǎng)界面的不受控制的污染。
還可以配備V族和VI族元素的閥裂解單元以及所有必要的原位分析工具。
混合異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)：
•“實(shí)驗(yàn)室到工廠"的概念，允許開展從基礎(chǔ)研究到異質(zhì)結(jié)構(gòu)試生產(chǎn)的活動(dòng)
•鋁（冷唇）專用滲出細(xì)胞，操作穩(wěn)定，鎵（熱唇）提供低橢圓形缺陷密度
•在系統(tǒng)基本配置中對(duì)生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)的所有必要工具
•特別設(shè)計(jì)的生長(zhǎng)操縱器，提供高溫均勻性和加熱/冷卻速率動(dòng)態(tài)
•安裝期間的有效技術(shù)支持，包括基本工藝轉(zhuǎn)移
•簡(jiǎn)單的系統(tǒng)操作和定期的技術(shù)維護(hù)
混合異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延系統(tǒng)參數(shù)：
| 烘烤后生長(zhǎng)室的最終真空度，Torr | <5×10-11 |
| 最大基板直徑，mm | 100或3×2″block |
| 100mm晶圓的厚度和復(fù)合不均勻度，% | ±1 |
| “源到基片"距離，mm | 135÷210 |
| 滲出細(xì)胞百葉窗設(shè)計(jì) | 基于磁耦合旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的無(wú)沖擊驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu) |
| 百葉窗葉片材料 | 鉭、鉬或PBN（可選） |
| 生長(zhǎng)機(jī)械手加熱元件的設(shè)計(jì) | PBN/PG/PBN |
| 生長(zhǎng)操縱器的最高工藝溫度，不低于，℃ | 900 （NH3-MBE為1200） |
| 準(zhǔn)備室中基板脫氣溫度，不低于，℃ | 650 （III氮化物為1100） |
| 生長(zhǎng)室烘烤溫度，不低于，℃ | 200 |
| 離子泵容量，不小于，l/s： –生長(zhǎng)室（III-N的TMP） –準(zhǔn)備室 –負(fù)載鎖定 | 800 (2000) 500 300 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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