金剛石薄膜具有不同的晶態(tài)（單晶、微晶、納米晶和超納米晶），是許多醫(yī)學(xué)和生物技術(shù)應(yīng)用的潛在候選者，如埋植劑的涂層，用于神經(jīng)元或生物傳感器活性部分的生長和研究的平臺。這與它們優(yōu)異的力學(xué)性能、高的化學(xué)惰性和生物相容性有關(guān)。
化學(xué)氣相沉積（CVD）制備的金剛石薄膜是端氫的。這導(dǎo)致了一定程度的疏水性，這是觀察到化學(xué)惰性的原因。因此，進一步增加親水性或增加化學(xué)活性需要進行表面改性。通過等離子體處理和光化學(xué)方法實現(xiàn)-OH或-NH2基團的表面功能化。另一方面，等離子體氟化甚至?xí)黾颖砻娴氖杷浴eta電位用來評價功能化程度，它反映了表面-水界面的電荷形成。
圖1：流動電勢測量示意圖
圖2：Si晶片上經(jīng)過O2等離子體處理和SF6等離子體處理的UNCD薄膜的Zeta電位與pH的關(guān)系
表1：圖2中未處理和等離子體處理后的UNCD表面zeta電位分析的關(guān)鍵指標(biāo)
靈敏的流動電勢測量技術(shù)是用于監(jiān)測表面活化等離子體處理或沉積方法，并確定各種表面終端或污染的技術(shù)
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