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邁可諾技術(shù)有限公司

主營產(chǎn)品: 美國Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī)

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勻膠機(jī)/勻膠旋涂儀

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烤膠機(jī)/熱板

快速退火爐

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紫外固化機(jī)/紫外固化箱

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鈣鈦礦材料

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    紫外交聯(lián)儀

    膜厚監(jiān)測儀

    離子濺射儀

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    噴涂機(jī)

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    密度測試儀

    臨界點(diǎn)干燥儀

    光譜儀

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    Norland膠水

    真空回流焊爐

    過濾器

    切割機(jī)

    電鏡耗材

    Alconox清潔劑

    有機(jī)光伏材料

    鈣鈦礦界面材料

    Rondol擠壓機(jī)

    切割設(shè)備

    超聲波細(xì)胞粉碎機(jī)

    低溫水循環(huán)

    水浴油浴

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    剝離器

    紫外掩膜曝光系統(tǒng)

    涂布機(jī)

    恒電位儀

    源測量單元

    太陽能電池IV測試系統(tǒng)

    太陽模擬器

    LED測量系統(tǒng)

    顯微鏡

    干燥箱

    霍爾效應(yīng)測試儀

    芯片熱管理分析系統(tǒng)

    滅菌鍋

    鍍膜設(shè)備

    公司信息

    聯(lián)人:
    鄧經(jīng)理
    話:
    4008800298
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    真:
    址:
    洪山區(qū)珞獅南路147號未來城A棟
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    [供應(yīng)]CNI v2.1-CNI v2.1 -桌面納米壓印工具
    CNI v2.1-CNI v2.1 -桌面納米壓印工具
    貨物所在地:
    北京北京市
    更新時(shí)間:
    2025-06-20 09:03:02
    有效期:
    2025年6月20日--2025年12月21日
    已獲點(diǎn)擊:
    150
    【簡單介紹】CNI v2.1是一種非常靈活的納米壓印工具。它可提供熱納米壓印、UV納米壓印以及真空納米壓印。模塊化系統(tǒng)可根據(jù)特定需求輕松配置。體積小,容易存放。大可處理Ø100毫米(4英寸)所有形狀和格式的印章和基板。該系統(tǒng)是手動裝卸印章和基板,但所有處理器都是全自動的,專用軟件用戶可以*控制壓印過程。
    【詳細(xì)說明】

    特色:

    •    體積小巧,容易存放,桌面型

    •    輕微復(fù)制微米和納米級結(jié)構(gòu)

    •    熱壓印溫度高達(dá)200°C

    •    可選的高溫模塊,適用于240°C

    •    UV 納米壓印,365nm曝光

    •    真空納米壓?。ㄇ皇铱沙檎婵罩?/span>0.1毫巴)

    •    納米壓印壓力高達(dá)10

    •    溫度分布均勻、讀數(shù)精準(zhǔn)

    •    筆記本電腦全自動控制,工藝配方編輯簡單,*靈活控制,自動記錄數(shù)據(jù)

    •    直徑大100毫米(圓形)腔室

    •    腔室高度為20毫米,可擴(kuò)展至45毫米

    •    即插即用

    •    使用簡單直觀

    •    專為研發(fā)而設(shè)計(jì)

    •    提供安裝和操作教程視頻

     

    應(yīng)用:在過去五年中,石墨烯的氣體傳感器引起了極大的興趣,顯示出單分子檢測。

    近的研究表明,與非圖案化層相比,石墨烯的圖案化強(qiáng)烈地增加了靈敏度。

    通過標(biāo)準(zhǔn)程序生長CVD石墨烯,然后轉(zhuǎn)移到Si / SiO 2基板上進(jìn)行進(jìn)一步處理。 如(Mackenzie,2D Materials)中所述,使用物理陰影掩模和激光燒蝕來定義接觸和器件區(qū)域。

    使用軟壓印在CNI v2.0中進(jìn)行熱納米壓印光刻。 mr-I7010E壓印抗蝕劑在130℃,6巴壓力下壓印10分鐘。 壓力在70℃下釋放。

    通過反應(yīng)離子蝕刻將邊緣到邊緣間隔為120-150nm的大面積圖案的孔轉(zhuǎn)移到石墨烯中,并且用丙酮除去殘留的抗蝕劑。

    發(fā)現(xiàn)器件具有大約的載流子遷移率發(fā)現(xiàn)器件在加工前具有約2000cm2 / Vs的載流子遷移率,之后具有400cm2 / Vs的載流子遷移率處理,同時(shí)保持整體低摻雜水平。




     

     



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