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邁可諾技術(shù)有限公司

主營產(chǎn)品: 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機

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    公司信息

    聯(lián)人:
    鄧經(jīng)理
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    4008800298
    機:
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    洪山區(qū)珞獅南路147號未來城A棟
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    [供應(yīng)]KemLab 正性光刻膠
    KemLab 正性光刻膠
    貨物所在地:
    湖北武漢市
    產(chǎn)地:
    美國
    更新時間:
    2025-06-12 11:57:49
    有效期:
    2025年6月12日--2026年6月12日
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    【簡單介紹】KemLab 正性光刻膠 KLT 6000 ,適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。
    【詳細說明】

     

    KemLab 正性光刻膠 KLT 6000

    描述: KLT 6000 是一款適用于 i-Line、g-Line 和寬帶應(yīng)用的正性光刻膠。KLT 6000 具有高靈敏度、高通量和優(yōu)異的工藝寬容度。

    • 單次涂布覆蓋 2.5-12 微米厚度

    • 設(shè)計用于行業(yè)標準的 0.26 N TMAH 顯影液

    • ● 無需后烘 (PEB)

    • ● 可提供定制配方

    基板 (Substrate)

    KLT6000 可粘附于多種基板,包括金、玻璃、鋁、鉻和銅。建議使用 HMDS(六甲基二硅氮烷)底涂劑。HMDS 底涂劑將增強 KLT6000 對大多數(shù)基板的附著力。

    旋涂 (Spin Coat)

    目標膜厚使用右圖所示的旋涂速度曲線確定。涂布程序包括 5-10 秒的鋪展循環(huán);較厚膜層使用較長時間。最終轉(zhuǎn)速下的旋涂時間為 45 秒。旋涂曲線使用 6 英寸硅片和靜態(tài)點膠約 4 ml KLT6000 光刻膠測定。

    對于 KLT6000 及大多數(shù)其他低于 10 微米的正性光刻膠,微調(diào)膜厚的公式如下:

    新旋涂速度 = 原旋涂速度 × (實測膜厚 / 目標膜厚)2

    前烘 (Soft Bake)

    推薦的烘板前烘溫度為 。典型烘烤時間為 120 秒;更長的烘烤時間有助于去除較厚膜層中的澆鑄溶劑。

    曝光與光學(xué)參數(shù) (Exposure & Optical Parameters)

    KLT 6000 適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。


    后烘 (Post-Exposure Bake, PEB)

    對于大多數(shù)應(yīng)用,無需進行后烘 (PEB)。

    如果特定工藝需要 PEB,請在接觸式烘板上以 90°C 烘烤 90 秒。

    顯影 (Develop)

    KLT6000 設(shè)計用于 0.26N TMAH 顯影液??刹捎媒]式、浸沒或噴霧-浸沒方式顯影。較厚的膜層在顯影步驟中更新顯影液會受益,例如采用雙重浸沒。

    詳情請見工藝指南表。

    蝕刻阻擋 (Etch Resist)

    濕法化學(xué)蝕刻液(用于金、銅、鉻、鋁等)不會降解 KLT6000 制作的圖形。

    光刻膠去除 (Photoresist Removal)

    KLT6000 可使用行業(yè)標準去膠劑(如 NMP、DMSO 等)在 50-80°C 下去除。

    較厚的膜層可采用雙槽工藝去除:第一個槽去除大部分光刻膠,第二個槽清潔干凈。

    儲存 (Storage)

    請將產(chǎn)品直立存放在密閉容器中,儲存于 40-70°F (4-21°C) 的環(huán)境下。遠離氧化劑、酸、堿和火源。

    操作與處置注意事項 (Handling & Disposal Considerations)

    請查閱 MSDS(材料安全數(shù)據(jù)表)以了解操作方法和適當?shù)膫€人防護設(shè)備 (PPE)。KLT 6000 含有易燃液體;遠離火源、熱源、火花和火焰。

    KemLab 正性光刻膠 KLT 6000

     

     



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