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中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司

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GaSb晶體基片

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

銻化鎵（GaSb）晶體基片

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

銻化鎵(GaSb)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

單晶：	GaSb
摻雜：	none；None, high R；Zn；Te；Te, high R
導(dǎo)電類型：	P P^-P⁺N
載流子濃度 cm^{-3 ：}	1-2x10¹⁷1-5x10¹⁶1-5x10¹⁸ 2-6x10¹⁷1-5x10¹⁶
位錯(cuò)密度 cm^{-2 ：}	<10³
生長(zhǎng)方法及 zui大尺寸：	LEC ? 3"

產(chǎn)品規(guī)格：

標(biāo)準(zhǔn)尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 單拋，

表面粗糙度Ra:<15A

可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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