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目錄:中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>晶體產(chǎn)品>>A-Z系列晶體列表>> InAs晶體基片

InAs晶體基片
  • InAs晶體基片
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 合肥市
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更新時間：2025-02-10 21:21:04瀏覽次數(shù)：1667評價

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砷化銦（InAs）晶體

產(chǎn)品名稱：

砷化銦（InAs）晶體

產(chǎn)品簡介：


技術(shù)參數(shù)：

晶體結(jié)構(gòu)：

立方  a =5.4505 ?

生長方法:

CZ

導(dǎo)電類型：

N型

摻雜類型：

不摻雜

載流子濃度：

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率：

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸：

常規(guī)晶向：<100>、<111>；

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況：單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

備注：

1000級超凈室100級超凈袋



Other InAs

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GaAs

GaSb

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