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目錄:中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>晶體產(chǎn)品>>A-Z系列晶體列表>> InAs晶體基片

InAs晶體基片
  • InAs晶體基片
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 合肥市
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更新時間:2025-02-10 21:21:04瀏覽次數(shù):1667評價

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砷化銦(InAs)晶體

產(chǎn)品名稱:

砷化銦(InAs)晶體

產(chǎn)品簡介:


技術(shù)參數(shù):

晶體結(jié)構(gòu):

立方  a =5.4505 ?

生長方法:

CZ

導(dǎo)電類型:

N型

摻雜類型:

不摻雜

載流子濃度:

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率:

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸:

常規(guī)晶向:<100>、<111>;

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況:單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

備注:

1000級超凈室100級超凈袋



Other InAs

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GaAs

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