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CdZnTe晶體基片
  • CdZnTe晶體基片

貨物所在地:安徽合肥市

更新時(shí)間:2024-12-01 21:00:07

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CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體,改變Zn的組分,其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào),能與不同波段的HgCdTe晶格常數(shù)精確匹配。因此CdZnTe晶體是目前*的Z佳HgCdTe襯底。

 

產(chǎn)品名稱                       

Cd1-xZnxTe晶體基片

產(chǎn)品簡介

CdZnTe晶體是一種閃爍礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體,改變Zn的組分,其晶格常數(shù)在0.6100 -0.6482urn之間連續(xù)可調(diào),能與不同波段的HgCdTe晶格常數(shù)精確匹配。因此CdZnTe晶體是目前*的*HgCdTe襯底。


產(chǎn)品特點(diǎn):

  • 良好的導(dǎo)電性能;
  • 廣發(fā)可調(diào)和直接帶隙
  • 較高的吸收系數(shù);
  • 與HgCdTe外延膜的晶格匹配性好;
  • 溫和的熱膨脹性;





技術(shù)參數(shù):

晶體名稱Cd 1-x ZnxTe  
生長方法Bridgeman
結(jié)構(gòu) 立方
晶格常數(shù)(A)a=6.486
密度 ( g/cm3)

5.851 

熔點(diǎn) (oC)1045
熱容  (J /g.k)0.210
熱膨脹系數(shù)(10-6/K)5.0
類型P-型
組成y=4±0.5%
紅外透過率>60% (2um-25um)
腐蝕坑密度<1e5
X射線搖擺曲線半峰寬<30弧秒


產(chǎn)品規(guī)格:

常規(guī)晶向:<111> 或者<211>,B面,±0.5度

尺寸:15x15mm;15x20mm;20x20mm;

      20x25mm;25x30mm;30x30mm;

      厚度1mm。

注:可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

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