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SiC晶體基片
  • SiC晶體基片

貨物所在地:安徽合肥市

更新時(shí)間:2025-01-22 21:00:06

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SiC晶體基片

產(chǎn)品名稱:

碳化硅(SiC)晶體基片

技術(shù)參數(shù):

晶胞結(jié)構(gòu)

 六方

晶格常數(shù)

 a =3.08 ?      c = 15.08 ?

排列次序

 ABCACB  (6H)

生長方法

 MOCVD

方向

 生長軸或偏(0001) 3.5°

拋光

 Si面拋光

帶隙

 2.93 eV (間接)

導(dǎo)電類型

 N

電阻率

 0.076 ohm-cm

介電常數(shù)

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

熱導(dǎo)率@300K

 5 W / cm . K

硬度

 9.2 Mohs


產(chǎn)品規(guī)格:

摻雜類型:6H N型 <0001> 表示專門摻N的,摻雜濃度10E18-10E19;4H N型;半絕緣;
常規(guī)尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm

拋光情況:單拋或雙拋;

表面粗糙度:Ra<10A

常規(guī)晶向 :<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,單拋 一種低電阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一種是高電阻率(>10^5 ohm.cm)


標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝或單片盒、插盒裝


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