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GaN-氮化鎵(GaN)晶體基片
  • GaN-氮化鎵(GaN)晶體基片

貨物所在地:安徽合肥市

更新時(shí)間:2024-11-28 21:00:08

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GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶,能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu),已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。

產(chǎn)品名稱:

氮化鎵(GaN)晶體基片

產(chǎn)品簡介:

GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶,能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu),已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs2-DEG(因?yàn)?span style="font-family:arial">2-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價(jià)位的氮化鎵晶體和基片。

技術(shù)參數(shù):

制作方法:

HVPE(氫化物氣象外延法)

傳導(dǎo)類型:

N型;半絕緣型

電阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位錯(cuò)密度:

<5x106Ω.cm

可用表面積:

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

 

產(chǎn)品規(guī)格:

晶體方向: <0001>;常規(guī)尺寸:dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um;

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒裝

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