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FT838MBD方案 內(nèi)置MOS10w充電器
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  • FT838MBD方案 內(nèi)置MOS10w充電器

舉報(bào)
貨物所在地: 廣東深圳市
更新時(shí)間: 2024-07-23 16:46:59
期: 2024年7月23日--2025年7月23日
已獲點(diǎn)擊: 241
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(聯(lián)系我們,請(qǐng)說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝?。?/p>

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

1、高效率 ≥78.7% @115V/230V;
2、低待機(jī)功耗 <120mW;
3、輸出紋波噪音低 <80mV;
4、內(nèi)置MOS,DIP8封裝,IC溫升
低,外圍元件少,成本低;
5、在五能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的
效率余量;

詳細(xì)介紹

FMD
FT838MBD_5V 2.0A 充電器方案設(shè)計(jì)報(bào)告
標(biāo)題 使用FT838MBD設(shè)計(jì)的高效率、低輸出紋波噪音充電器方案
規(guī)格 Input: 90Vac~264Vac, 50/60Hz
Output: Vout=5Vdc, Iout=2.0A
應(yīng)用 充電器 / 適配器
作者 應(yīng)用工程部
日期 2013-12-02
版本 1.0
特色概述
電壓輸入范圍(90Vac~264Vac)
高效率
Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac
低待機(jī)功耗
< 120mW
輸出紋波噪音低
<80mV
輸出短路保護(hù)
輸出過流保護(hù)
的容性負(fù)載啟機(jī)特性
在5 能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量
內(nèi)置功率MOS,DIP-8 封裝,IC 溫升低;外圍元件簡(jiǎn)潔,成本低。

1 簡(jiǎn)介
FT838MBD_5V 2.0A 是款寬電壓輸入(90Vac~264Vac),具有高效率,高性價(jià)比
的充電器適配器方案。
DEMO 視圖
DEMO 底視圖
2 電源規(guī)格
下表給出的是設(shè)計(jì)的zui低可接受指標(biāo)。實(shí)際性能在后續(xù)的測(cè)試結(jié)果部分給出。
說明 符號(hào) *值 典型值 zui大值 單位 備注
輸入
電壓
頻率
Vin
Fline
90
47
115/230
50/60
264
63
Vac
Hz
雙導(dǎo)線——無P.E.
輸出
輸出電壓
輸出電流
連續(xù)輸出功率
Vout
Iout
Pout
5
2
10
V
A
W
滿載效率 Eff. 78.65 % 在115/230Vac 條件下測(cè)得
PCB 尺寸 L:45.3mm; W:36.9mm mm FR 材質(zhì),單面走線
環(huán)境溫度 TAMB 40 ℃ 自然對(duì)流,海平面
Confidential
3 電路原理圖
電路原理圖
FMD Confidential
4 布局
1mm 的PCB 厚度
PCB 布局(層)
PCB 板布局(底層)
FMD Confidential
5 物料清單
元件編號(hào) 分類名稱 規(guī)格 / 型號(hào) 封裝尺寸 用量
電容
C1 鋁電解電容 6.8uF/400V 直徑8mm 高度14mm 8*14 1
C2 鋁電解電容 10uF/400V 直徑10mm 高度16mm 10*16 1
C4 鋁電解電容 4.7uF/50V 直徑5.1mm 高度11mm 5.1*11 1
C3 貼片陶瓷電容 1000pF/500V X7R 1206 1
C7,C8 鋁電解電容
1000uF/10V LowESR 直徑8mm
高度16mm
8*16 2
C9 貼片陶瓷電容 2.2nF/50V X7R 0805 1
CY1 Y1 電容 1000pF Y1 400V 腳距10mm Radial 1
電阻
R1 厚膜貼片電阻 5.1K ±5% 0805 1
R2,R3 厚膜貼片電阻 1M ±5% 1206 2
R4 厚膜貼片電阻 68R ±1% 1206 1
R5 插件電阻 220K 1/2W 1
R6 厚膜貼片電阻 1R5 ±1% 1206 1
R7 厚膜貼片電阻 1R6 ±1% 1206 1
R8 厚膜貼片電阻 4R7 ±5% 0805 1
R9 厚膜貼片電阻 33K ±1% 0805 1
R10 厚膜貼片電阻 9.1K ±1% 0805 1
R12 厚膜貼片電阻 22R ±5% 0805 1
R13 厚膜貼片電阻 1K ±5% 0805 1
二極管/穩(wěn)壓管
DB1 整流橋 MB10S 0.8A/1000V MBS 1
D5 整流二極管 M7 1A/1000V SMA 1
D7 整流二極管 RS1M 1A/1000V SMA 1
D6
肖特基整流二
極管
1045 10A/45V SMA SMA 1
保險(xiǎn)絲/保險(xiǎn)電阻/壓敏電阻
F1 保險(xiǎn)電阻 1A 250V 1A 1
變壓器/電感
T1 高頻變壓器 EE19 5+5PIN 詳細(xì)參數(shù)見圖紙 EE19 5+5 1
L2 工字電感 1mH 6.3*10 1
L3 貼片磁珠電感 3.9uH 1206 1
L4 磁棒電感 2.2uH 5*12 1
IC
U1 電源驅(qū)動(dòng)IC FT838MBD DIP8 1
Confidential
6 變壓器規(guī)格
7 測(cè)試數(shù)據(jù)
所有數(shù)據(jù)均在常溫下測(cè)得。
7.1 效率曲線
Io(A)
Vin(V) 0.5 1 1.5 2 AV Eff 能效五
90 79.75% 79.85% 79.07% 77.8% 79.12%
115 79.93% 80.61% 80.22% 79.44% 80.05%
230 76.52% 78.84% 79.52% 79.72% 78.65%
73.4%
264 74.9% 77.72% 78.69% 79.09% 77.59%
FMD
7.2 待機(jī)功耗
Vin=90v Vin=115v Vin=230v Vin=264v
Pin(mW) 52 56 99 119
7.3 輸出VI曲線
輸出3%線性補(bǔ)償
7.4 關(guān)鍵器件溫度測(cè)試
測(cè)試條件:Vin=90Vac,Load= CC:2A
Vin=264Vac,Load= CC:2A
溫度(℃) 溫升(℃)
元件 90Vac 264Vac 90Vac 264Vac
IC 112.19 95.4 35.29 24.31
T1-W 87.09 87.59 10.19 16.5
T1-C 96.2 95.59 19.3 24.5
Diode 101.9 100.69 25 29.6
AMB 76.9 71.09 - -
備注: T1-W:變壓器線圈
T1-C:變壓器磁芯
Diode:輸出續(xù)流管
AMB:環(huán)境溫度
測(cè)試DEMO 溫度放在常溫包殼封閉環(huán)境下進(jìn)行
8 關(guān)鍵波形
8.1 輸出紋波噪音
Vin115V,Vout 5V Iout 2.0A Vin230V,Vout 5V Iout 2.0A
Confidential
8.2 輸出開機(jī)過沖
Vin90V,Vout 5V Iout 2.0A Vin264V,Vout 5V Iout 2.0A
8.3 容性負(fù)載啟機(jī)
Vin90V,Vout 5V Iout 2.0A,3000uF Vin264V,Vout 5V Iout 2.0A,3000uF
8.4 動(dòng)態(tài)響應(yīng)
Vin90V,Iout 0.2 A(5mS)to 1.8A(5mS)
Vout-max 5.44 Vout-min 4.84V
Vin90V,Iout 0.2A(5mS)to 1.8A(5mS)
Vout-max 5.44 Vout-min 4.80V
8.5 開關(guān)管漏極電壓和輸出整流管反壓
Vin 264Vac,Vout 5V Iout 2.0A
U1 7、8Pin-1Pin Voltage
Vds MAX 值為526V
Vin 264Vac,Vout 5V Iout 2.0A
D6 Voltage
次Vds_PK-PK 值為42.4V
9 傳導(dǎo)EMI測(cè)試
Vin=230V channel L Vin=230V channel N

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