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上海來揚(yáng)電氣科技有限公司
中級會(huì)員 | 第12年

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影響介質(zhì)損耗測試值的因數(shù)有哪些

時(shí)間:2014/9/10閱讀:1593
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影響介質(zhì)損耗測試值的因數(shù)有哪些

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  被試品的表面泄露對絕緣電阻影響很大,對tgδ的測量也同樣如此,影響的程度與被試品的電容量有關(guān)。電容量較小的試品,當(dāng)表面臟污受潮后表面泄露增加,回帶來嚴(yán)重的影響,有可能引起誤判斷。因此,對小電容量的試品,必須注意消除表面泄露的影響;而對大電容量的試品,影響較小。測量中,應(yīng)除去表面臟污,如遇空氣濕度大時(shí),應(yīng)對表面采取必要的措施,但不宜加屏蔽環(huán),否則將使電場分布改變,會(huì)得出錯(cuò)誤的測量結(jié)果。

tgδ的綜合(整體)值與個(gè)別值的關(guān)系

  一般電氣設(shè)備的結(jié)構(gòu)是多個(gè)部件組成的。各部件的絕緣又是由不同絕緣材料構(gòu)成的。因此,在對電氣設(shè)備試驗(yàn)結(jié)果分析時(shí),可如實(shí)地把設(shè)備的絕緣部件看成是由多個(gè)介質(zhì)的等值電路串聯(lián)、并聯(lián)、及串并聯(lián)組成的電路。這樣我們所測得設(shè)備的tgδ值,實(shí)際上是各部件的等值電路組合后的綜合值。經(jīng)計(jì)算可得出:并聯(lián)后的綜合tgδ必然大于其中小的,而小于其中大的,一般可認(rèn)為,綜合tgδ主要代表并聯(lián)各元部件中電容量大者的介質(zhì)損耗值;串聯(lián)后的綜合tgδ值介于元件中的大與小兩個(gè)介質(zhì)損耗角正切值之間,各元件的值相差不大時(shí),他們都將接近于綜合值,相差較大時(shí),綜合值主要反映串聯(lián)元件中電容量小者的介質(zhì)損耗角正切值;串并聯(lián)介質(zhì)電路的綜合tgδ值在兩個(gè)元件的值之間。

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