環(huán)境檢測(cè)設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)
1、 低溫試驗(yàn) 按GB/T2423.1—89《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法低溫試驗(yàn)》；
GB/T2423.22—87《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)方法》 進(jìn)行低溫試驗(yàn)及溫度變化試驗(yàn)。溫度范圍：-70℃～10℃。
2、 高溫試驗(yàn) 按GB/T2423.2—89《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法高溫試驗(yàn)》；
GB/T2423.22—87《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)方法》 進(jìn)行高溫試驗(yàn)及溫度變化試驗(yàn)。溫度范圍：10℃～210℃
3、 濕熱試驗(yàn) 按GB/T2423.3—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法恒定濕熱試驗(yàn)》；
GB/T2423.4—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法交變濕熱試驗(yàn)》 進(jìn)行恒定濕熱試驗(yàn)及交變濕熱試驗(yàn)。濕度范圍：30%RH～100%RH
4、霉菌試驗(yàn)
按GB/T2423.16—90《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法長霉試驗(yàn)》進(jìn)行霉菌試驗(yàn)。
5、鹽霧試驗(yàn) 按GB/T2423.17—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法鹽霧試驗(yàn)》進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)。
6、低氣壓試驗(yàn) 按GB/T2423.21—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法低氣壓試驗(yàn)》； GB/T2423.25—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法低溫/低氣壓試驗(yàn)》；
GB/T2423.26—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法高溫/低氣壓試驗(yàn)》； 進(jìn)行低氣壓試驗(yàn)，高、低溫/低氣壓試驗(yàn)。試驗(yàn)范圍：-70℃～100℃0～760mmHg20%～95%RH。
7、振動(dòng)試驗(yàn) 按GB/T2423.10—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法振動(dòng)試驗(yàn)》進(jìn)行振動(dòng)試驗(yàn)。頻率范圍（機(jī)械振動(dòng)臺(tái)）：5～60Hz（定頻振動(dòng)5～80Hz），zui大位移振幅3.5mm（滿載）。頻率范圍（電磁振動(dòng)臺(tái)）：5～3000Hz，zui大位移25mmP-P。
8、沖擊試驗(yàn) 按GB/T2423.5—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法沖擊試驗(yàn)》進(jìn)行沖擊試驗(yàn)。沖擊加速度范圍：（50～1500）m/s2。
9、碰撞試驗(yàn) 按GB/T2423.6—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法碰撞試驗(yàn)》進(jìn)行碰撞試驗(yàn)。
10、跌落試驗(yàn) 按GB/T2423.7—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法傾跌與翻到試驗(yàn)》； GB/T2423.8—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法自由跌落試驗(yàn)》進(jìn)行跌落試驗(yàn)。
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