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離子注入設(shè)備

SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

 搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

• 可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入

• 1價(jià)離子可注入至350keV、2價(jià)離子可注入至700keV

       （Option：1價(jià)離子可注入至430keV、2價(jià)離子可注入至860keV）

• 通過Dual-End-Station（雙工位）實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能；

       （A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等，可配合客戶的希望就行規(guī)格配置）

• 可減輕操作員的負(fù)擔(dān)

•      緊湊式設(shè)計(jì)

• 可大范圍對應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類需求

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

•  對應(yīng)SiC的離子注入裝置。

研究開發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500

中電流離子注入裝置IMX-3500為大能量200keV、對應(yīng)大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置，適用于大學(xué)等機(jī)構(gòu)的研究開發(fā)。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

•       大晶圓尺寸8inch，搭載了可對應(yīng)不定形基板的臺(tái)板。

• 離子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易處理的B、P、As離子等固體蒸發(fā)源。

• HV terminal的部分，與量產(chǎn)裝置是同樣的構(gòu)成，可確保高信賴性。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 •      教育、研究開發(fā)等

高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400

大可對應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

• 枚葉式

• 可對應(yīng)薄片Wafer

• 平行Beam

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 •       功率器件相關(guān)薄片基板工藝、IGBT工藝

可對應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30

低加速、高濃度對應(yīng)的離子注入設(shè)備。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

• 枚葉式

• 可對應(yīng)薄片

• 非質(zhì)量分離機(jī)的對比優(yōu)點(diǎn)

         1)對應(yīng)低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設(shè)備

         2)相比過去約一半的低價(jià)

         3)相比過往設(shè)備占用面積為1/3的緊湊型設(shè)計(jì)

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

• Power Device等薄片基板工藝、IGBT工藝

產(chǎn)品參數(shù) / Product parameters

 • 基板尺寸：Max200mm