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TD-DSY-II型單晶壽命測試儀/單晶壽命分析儀
  • TD-DSY-II型單晶壽命測試儀/單晶壽命分析儀

貨物所在地:北京北京市

更新時(shí)間:2025-04-22 09:46:33

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TD-DSY-II型單晶壽命測試儀,用于測量硅單晶的非平衡少 數(shù)載流子壽命。 它是檢驗(yàn)半導(dǎo)體單晶質(zhì)量的關(guān)鍵設(shè)備之一。
TD-DSY-II型單晶壽命測試儀,用于測量硅單晶的非平衡少 數(shù)載流子壽命。 它是檢驗(yàn)半導(dǎo)體單晶質(zhì)量的關(guān)鍵設(shè)備之一。 本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路 級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降 的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
 主要技術(shù)性能:
* 測試單晶電阻率范圍: >3Ω.cm;
* 可測單晶少子壽命范圍: 20μS-5000μS;
* 配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm;余輝<10 μS; 閃光頻率為:20-30次/秒;
* 高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz:
* 前置放大器:放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz;
* 儀器測量重復(fù)誤差:<±20%;
* 測量方式:采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式;
* 儀器消耗功率:<25W;

 

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