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SENTECH 二維材料刻蝕工藝的基本流程

閱讀:644      發(fā)布時(shí)間:2024-11-11
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  SENTECH 二維材料刻蝕工藝是半導(dǎo)體制造和納米技術(shù)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),它涉及到使用化學(xué)或物理方法去除材料表面的部分區(qū)域,以形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)。以下是二維材料刻蝕工藝的基本流程:
  
  1、準(zhǔn)備階段:在開始刻蝕之前,需要準(zhǔn)備好所需的材料和設(shè)備。這包括刻蝕機(jī)、掩膜版、化學(xué)試劑(如刻蝕液)、清洗設(shè)備等。同時(shí),還需要對樣品進(jìn)行預(yù)處理,如清洗、涂覆光刻膠等。
  
  2、涂覆光刻膠:將光刻膠均勻地涂覆在樣品表面。光刻膠是一種光敏性材料,它在紫外光照射下會發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而改變其溶解性。
  
  3、曝光:使用掩膜版覆蓋在涂有光刻膠的樣品上,然后用紫外光照射。掩膜版上的圖案會阻擋部分光線,使得光刻膠在未被遮擋的部分發(fā)生曝光反應(yīng)。
  
  4、顯影:將曝光后的樣品放入顯影液中,未曝光的光刻膠會被溶解掉,而曝光的光刻膠則保留下來。這樣,掩膜版上的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。
  

SENTECH 二維材料刻蝕

 

  5、刻蝕:將帶有圖案的光刻膠作為掩膜,對樣品進(jìn)行刻蝕。刻蝕可以是化學(xué)刻蝕,也可以是物理刻蝕(如離子束刻蝕)。在刻蝕過程中,未被光刻膠保護(hù)的部分會被去除,而保留下來的部分則形成了所需的圖案或結(jié)構(gòu)。
  
  6、去膠:刻蝕完成后,需要去除樣品表面的光刻膠。這一步驟通常使用去膠劑來完成。
  
  7、清洗與檢查:最后,對樣品進(jìn)行清洗,去除殘留的化學(xué)物質(zhì)和顆粒物。然后,使用顯微鏡或其他檢測設(shè)備對刻蝕結(jié)果進(jìn)行檢查,確保圖案或結(jié)構(gòu)的質(zhì)量和精度符合要求。
  
  總之,以上就是SENTECH 二維材料刻蝕工藝的基本流程。需要注意的是,不同的材料和應(yīng)用場景可能需要采用不同的刻蝕方法和參數(shù),因此在實(shí)際操作中需要根據(jù)具體情況進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。

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