低溫真空模塊 參考價(jià)：面議
QSense 耗散型石英晶體微天平（QCM-D）低溫真空模塊可以在低至10K的溫度及真空條件下檢測(cè)納米尺度的污染物和氣體吸附。
礦物浮選模塊 參考價(jià)：面議
QSense 礦物浮選模塊旨在以納克級(jí)精度實(shí)時(shí)分析液相中分子在芯片表面的吸附和相互作用。通過(guò)將模塊倒置（即芯片有效傳感器區(qū)域）于樣品池中，可有效降低液體中的顆粒...
ALD模塊 參考價(jià)：面議
QSense 耗散型石英晶體微天平（QCM-D）QSense® ALD模塊（原子層沉積）樣品架設(shè)計(jì)用于在真空或氣相中進(jìn)行QCM-D測(cè)量。
PTFE流動(dòng)模塊 參考價(jià)：面議
PTFE流動(dòng)模塊可用于一些試劑或分子對(duì)鈦金屬敏感或者會(huì)發(fā)生相互作用的流動(dòng)或靜止實(shí)驗(yàn)。PTFE流動(dòng)模塊與QSense®標(biāo)準(zhǔn)流動(dòng)模塊QFM 401類(lèi)似，但...
窗口模塊 參考價(jià)：面議
QSense®窗口模塊允許光線通過(guò)藍(lán)寶石窗口進(jìn)入芯片表面，從而能夠進(jìn)行紫外誘導(dǎo)反應(yīng)和顯微鏡聯(lián)用實(shí)驗(yàn)。
開(kāi)放模塊 參考價(jià)：面議
QSense®開(kāi)放模塊的設(shè)計(jì)是允許在某些應(yīng)用中樣品可直接進(jìn)入芯片表面，例如通過(guò)移液器將樣品直接滴加于芯片表面。當(dāng)不需要流動(dòng)條件時(shí)，也可用于快速吸附測(cè)試...
濕度模塊 參考價(jià)：面議
QSense 耗散型石英晶體微天平（QCM-D）QSense®濕度模塊可用于測(cè)量芯片表面涂覆的薄膜對(duì)氣體的吸收與釋放。
流動(dòng)模塊 參考價(jià)：面議
在QSense Explorer和QSense Analyzer系統(tǒng)中均包含標(biāo)準(zhǔn)QSense流動(dòng)模塊。
橢偏聯(lián)用模塊 參考價(jià)：面議
橢偏儀模塊 Qsense橢偏聯(lián)用模塊可在同一芯片上同時(shí)進(jìn)行QCM-D和橢偏測(cè)試。
電化學(xué)模塊 參考價(jià)：面議
QSense電化學(xué)模塊能夠同時(shí)進(jìn)行具有耗散檢測(cè)功能的石英晶體微天平和電化學(xué)測(cè)試 （EQCM-D），或是同時(shí)實(shí)現(xiàn)QCM-D和電化學(xué)阻抗譜（EIS）測(cè)試。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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