產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
承裝修試電力設(shè)備
1、耐大電流。可耐大電流,較高可承受80A 電流具有很好的密封性和高穩(wěn)定性。
2、高穩(wěn)定性、大電流電感采用全封閉磁屏蔽結(jié)構(gòu)。單片機(jī)直流高壓發(fā)生器。
3、適用范圍廣、大電流電感具有*的耐侯性、可以用于電腦主板、顯卡等這些長(zhǎng)時(shí)間工作的設(shè)備上。
這與單純的電磁兼容有很大區(qū)別。
一個(gè)是由封裝上表面?zhèn)鞯娇諝庵?,集成電路的熱阻和晶體管的熱阻大至相同、承裝修試電力設(shè)備集成電路(IC散熱主要有兩個(gè)方向。另一個(gè)則是由IC向下傳到PCB板上,再由板傳到空氣中。當(dāng)中試控股IC以自然對(duì)流方式傳熱時(shí),向上傳的部分很小直流高壓發(fā)生器,而向下傳到板子則占了大部分,以導(dǎo)線腳或是以球連接于板上的方式,其詳細(xì)的散熱模式不盡相同。
三級(jí)資質(zhì)設(shè)備
一、高壓發(fā)生設(shè)備
1 直流高壓發(fā)生器 ZSZGF-120kV/2mA
直流高壓發(fā)生器 ZSZGF-200kV/3mA
2 工頻耐壓試驗(yàn)裝置 ZSYDJ-10kVA/100kV
工頻耐壓試驗(yàn)裝置 ZSYDJ-5kVA/50kV
3 變頻串聯(lián)諧振試驗(yàn)成套裝置 ZSBP-500kVA/200kV
4 感應(yīng)耐壓試驗(yàn)裝置 ZSSBF-15kVA
二、電氣測(cè)量?jī)x器
1 高壓介質(zhì)損耗測(cè)試裝置 ZSJS-6000D
2 回路電阻測(cè)試儀 ZSHL-100A
3 互感器伏安特性測(cè)試儀 ZSFA-103
4 接地電阻測(cè)試儀 ZSDW-5A
5 電容電感測(cè)試儀 ZSRG-3000
6 接地導(dǎo)通測(cè)試儀 ZSDT-10A
7 變壓器直流電阻測(cè)試儀 ZSBZC-3S
8 變壓器變比測(cè)試儀 ZSBC-VI
9 變壓器繞組變形測(cè)試儀 ZSBX-III
10 有載分接開(kāi)關(guān)測(cè)試儀 ZSKC-4000
11 斷路器特性測(cè)試儀 ZSKC-7000
12 氧化鋅避雷器阻性電流測(cè)試儀 ZSBD-2000
13 三相繼電保護(hù)測(cè)試儀 ZSJB-1000B
14 雷擊計(jì)數(shù)器校驗(yàn)儀 ZSFZ-9000
15 絕緣電阻測(cè)試儀 ZSDMH-5000V
三、油、氣試驗(yàn)儀器
1 SF6檢漏儀 ZSXP-1A
2 SF6氣體微水測(cè)試儀 ZSLD-2000
三、常用儀器儀表
1 兆歐表 ZS2500V
2 兆歐表 ZS500V
3 數(shù)字式雙鉗相位伏安表 ZSMG-2000E
雙極性晶體管GP功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET功率絕緣柵控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)于一體的復(fù)合器件
承裝修試電力設(shè)備既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開(kāi)關(guān)損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、要求驅(qū)動(dòng)功率小、極限工作溫度高、易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行直流高壓發(fā)生器的方法,
并已開(kāi)始在上述中功率雙極性晶體管GP和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET中。與GP和MOSFET一樣,中試控股IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題是驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路,本文根據(jù)在實(shí)際工作中對(duì)IGBT應(yīng)用討論有關(guān)IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)問(wèn)題。