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EMTEST CA BS200N電子開關(guān)的負(fù)載阻抗
  • EMTEST CA BS200N電子開關(guān)的負(fù)載阻抗

貨物所在地:廣東深圳市

更新時間:2024-09-20 10:19:24

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EMTEST CA BS200N電子開關(guān)的負(fù)載阻抗BS 200N系列半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)性能應(yīng)在0.6ohm至50uH的負(fù)載阻抗下進(jìn)行驗(yàn)證。
CA BS 200N直接連接到BS 200Nx的輸出。BS 200Nx的開關(guān)參數(shù)是在連接負(fù)載的情況下測量的。

EM TEST CA BS200N電子開關(guān)的負(fù)載阻抗

 電子開關(guān)的驗(yàn)證負(fù)載0.6ohm / 50uH(符合ISO 7637-2:2004)

高 電源電壓28VDC

高 負(fù)載電流50A

內(nèi)置的附加分流電阻器10ohm,20ohm,40ohm,120ohm用于發(fā)射測量

過熱保護(hù)

EM TEST CA BS200N電子開關(guān)的負(fù)載阻抗

應(yīng)用

CA BS 200N-BS200Nx電子開關(guān)的負(fù)載阻抗

BS 200N系列半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)性能應(yīng)在0.6ohm至50uH的負(fù)載阻抗下進(jìn)行驗(yàn)證。
CA BS 200N直接連接到BS 200Nx的輸出。BS 200Nx的開關(guān)參數(shù)是在連接負(fù)載的情況下測量的。
此外,CA BS 200N包括多個分流電阻Rs,例如根據(jù)ISO 7637-2:2011和以前的ISO 7637-2進(jìn)行瞬態(tài)發(fā)射測量時所使用的標(biāo)準(zhǔn),例如10ohm,20ohm,40ohm和120ohm: 2004年。

驗(yàn)證設(shè)置

驗(yàn)證BS 200N系列開關(guān)特性

CA BS 200N驗(yàn)證設(shè)置放大

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO 7637-2,要求電子開關(guān)BS 200Nx滿足300ns +/- 20%的上升/下降時間規(guī)范,以50uH串聯(lián)的0.6ohm定義負(fù)載。
CA BS 200N設(shè)置為緊鄰BS 200Nx,且引線短,以驗(yàn)證切換時間特性。需要足夠帶寬的示波器來正確評估上升/下降時間參數(shù)。

設(shè)置CA BS 200N和BS 200Nx以進(jìn)行驗(yàn)證

接線設(shè)置放大

為了正確地驗(yàn)證電子開關(guān)(例如BS 200N和BS 200N80)的上升/下降時間特性,重要的是保持連接引線盡可能短。EM TEST建議CA BS 200N驗(yàn)證負(fù)載(下圖中左側(cè)的單元)和BS 200Nx電子開關(guān)(下圖中右側(cè)的單元)之間的大連接導(dǎo)線長度為0.5m。


 

 


 

 


 

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