測(cè)試中小功率半導(dǎo)體三管開(kāi)關(guān)參數(shù)，功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。
Td延遲時(shí)間
tr被測(cè)晶體管上升時(shí)間
ton晶體管開(kāi)啟時(shí)間
ts存貯時(shí)間
tf被測(cè)晶體管下降時(shí)間
toff晶體管下降時(shí)間
主要參數(shù)
測(cè)量范圍：由5nS至500 nS
測(cè)量條件
Ib1=Ib2=1mA,  Ic=10 mA
 2) Ib1=Ib2=3mA，Ic=300 mA
 3) Ib1=Ib2=10mA，Ic=100 mA
 4) Ib1=Ib2=30mA，Ic=300 mA
 5) Ib1=Ib2=50mA，Ic=500 mA
脈沖寬度：0.7-2.5uS
±脈沖：≤2nS
±脈沖幅度：±10V±0.5V
指標(biāo)
脈沖信號(hào)源：頻率20K
取樣示波器：帶寬: 1000MHz
掃   速：20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm 200nS/cm
CRT顯示輸入/輸出波形 計(jì)算機(jī)顯示測(cè)量參數(shù)及測(cè)量結(jié)果。