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北京中慧天誠科技有限公司

射頻CCP薄膜沉積裝置型號:YQ-DHDP-1

時間:2014-3-24閱讀:399
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射頻CCP薄膜沉積裝置型號:YQ-DHDP-1貨號:ZH5494
產(chǎn)
   本裝置主要由薄膜沉積室、真空抽氣系統(tǒng)、氣源進氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成。
   通過本實驗裝置可以掌握CVD(化學(xué)氣相沉積);理解CVD的成膜過程及要求,化學(xué)輸運反應(yīng)的原理,等離子體CVD的原理、特點及等離子體的激勵方式;了解該在電學(xué)、光學(xué)、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。
可開設(shè)的實驗
1、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用;
2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備;
3、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。
主要參數(shù)
1、薄膜沉積室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成;尺寸:Φ220×H230mm;
2、薄膜沉積室本底真空: ≤1Pa;
3、射頻耦合方式:電容耦合/電感耦合;射頻源功率:帶500W  13.56MHz;
4、氣路系統(tǒng):由三路轉(zhuǎn)子流量計控制(可選配流量計);
5、襯底加熱溫度:室溫至300℃可控;
6、平行板電:Φ70mm;
7、工作反應(yīng)氣體:由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8、真空抽氣系統(tǒng):2XZ-4型旋片機械泵,4L/S,單相220V交流電源供電;
9、管道、閥門:材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管;
10、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警,并執(zhí)行相應(yīng)保護措施;
11、供電電源:AC220V,50Hz,整機功率2KW。

 

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