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鐵電分析儀 高壓功率放大器 塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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壓電材料電場(chǎng)應(yīng)變特性的測(cè)試儀 激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
高溫四探針測(cè)試儀測(cè)試電阻率的原理和方法
高溫四探針測(cè)試儀測(cè)試電阻率的原理和方法
高溫四探針測(cè)試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。
高溫四探針測(cè)試儀的測(cè)量原理
- 測(cè)量電阻率的方法很多，如三探針?lè)ā㈦娙?/span>-電壓法、擴(kuò)展電阻法等，四探針?lè)▌t是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，高溫四探針測(cè)試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測(cè)組合四探針?lè)ā?/span>
- 經(jīng)典的直排四探針?lè)y(cè)試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會(huì)造成實(shí)驗(yàn)誤差。當(dāng)被測(cè)片較小或在大片邊緣附近測(cè)量時(shí)，要求計(jì)入電場(chǎng)畸變的影響進(jìn)行邊界修正。
3.采用雙電測(cè)組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測(cè)量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件。
高溫四探針測(cè)試儀采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ǖ膬?yōu)勢(shì)
- 采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ㄟM(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果與探針間距無(wú)關(guān)，能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響，因此四探針測(cè)試臺(tái)允許使用不等距探針頭。
- 采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ň哂凶詣?dòng)修正邊界效應(yīng)的功能，對(duì)小尺寸被側(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)，不需要對(duì)樣品做幾何測(cè)量，也不需要尋找修正因子。
- 采用雙電測(cè)組合四探針?lè)ǎ灰苿?dòng)四探針針頭，同時(shí)使用三種模式測(cè)量，既可計(jì)算得到測(cè)試部位的電阻均勻性。