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新材料電阻率測(cè)定直排四探針?lè)ā獪y(cè)量程序及測(cè)量條件
新材料電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?mdash;—測(cè)量程序及測(cè)量條件
5測(cè)量程序
5.1 測(cè)量條件
5.1.1 環(huán)境溫度為 23±5℃ ，相對(duì)濕度不大于65%.
5.1.2 電磁屏蔽。
5.1.3 高阻試樣應(yīng)在光屏蔽條件下測(cè)量。
5.1.4 試樣中電場(chǎng)強(qiáng)度不能過(guò)大，以避免少數(shù)載流子注入。如果使用的電流適當(dāng)，則用該電流的兩倍或一半時(shí)，引起電阻率的變化應(yīng)小于0. 5%
5.2 確定探針間距與探針狀態(tài)
5.2.1 將四探針以正常壓力壓在嚴(yán)格固定的拋光硅片表面上，形成一組壓痕.提起探針，在垂直于探針尖連線方向上移動(dòng)硅片表面或探針0. 05~0.10 mm，再將探針壓到硅片表面上，重復(fù)上述步驟，直到獲得10組壓痕。
注：建議在兩組或3組壓痕后，將硅片表面或探針移動(dòng)上述距離的兩倍，以幫助操作者識(shí)別壓痕屬于哪一組。
5.2.2 將硅片表面清洗，用空氣干燥。
5.2.3將此具有壓痕的硅片表面置于工具顯微鏡的載物臺(tái)上，使y軸的讀數(shù)（圖6中的yB和yA ）相差不大于0.150mm，把在工具顯微鏡中的10組壓痕A到H的x軸讀數(shù)記錄在表中，到1μm.
5.2.4 在放大倍數(shù)不小于 400倍的顯微鏡下檢查壓痕。
5.2.5 按6.1條計(jì)算探針間距S，平均探針間距S.標(biāo)準(zhǔn)偏差o；和探針系數(shù)C。
5.2.6 對(duì)于合格的探針，必須滿足下述條件。
5.2.6.1 對(duì)于S，來(lái)說(shuō)，3組10次測(cè)量值的每一組樣品標(biāo)準(zhǔn)偏差a，應(yīng)小于S的0. 30%
5.2.6.2 S1,S2和S3的差應(yīng)不大于 2%.
5.2.6.3 每根探針的壓痕應(yīng)只出現(xiàn)一個(gè)接觸面，大直徑線度小于100μm.如果有的壓痕出現(xiàn)不連續(xù)的接觸面，則換探針并重新測(cè)量。
5.2.6.4 在放大倍數(shù)為 400倍的顯微鏡下檢驗(yàn)時(shí)，在與硅片表面的接觸面上出現(xiàn)明顯的橫向移動(dòng)的探針是不合格的。該探針系統(tǒng)必須重新調(diào)整，以防止上述移動(dòng)。