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鐵電分析儀 高壓功率放大器 塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化（離子遷移）評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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壓電材料電場(chǎng)應(yīng)變特性的測(cè)試儀 激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線(xiàn)擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
鐵電存儲(chǔ)器的工作原理
鐵電存儲(chǔ)技術(shù)是在1921年早被科學(xué)家提出，一直到1993年，美國(guó)Ramtron公司才成功開(kāi)發(fā)出第yi個(gè)容量只有4Kb的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。發(fā)展到了現(xiàn)在，如今市面上幾乎的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品都是由美國(guó)鐵電公司制造或授權(quán)制造。
鐵電存儲(chǔ)器在不需要電壓的情況下就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而且也不需要像DRAM那樣周期性的刷新。那么鐵電存儲(chǔ)器是如何來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的呢？這是利用了鐵電晶體的鐵電效應(yīng)。什么是鐵電效應(yīng)?鐵電效應(yīng)是指，將一定的電場(chǎng)強(qiáng)度施加在鐵電晶體上時(shí)，晶體中心原子在電場(chǎng)力的作用下產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)，并且達(dá)到一種穩(wěn)定的狀態(tài)；當(dāng)電場(chǎng)從鐵電晶體移走后，中心原子依然會(huì)保持在原來(lái)的位置上。這是因?yàn)榫w的中間層是一個(gè)高能階，中心原子在沒(méi)有獲得外部能量的情況下不能越過(guò)高能階到達(dá)另一穩(wěn)定位置。
由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用沒(méi)有關(guān)聯(lián)，所以鐵電存儲(chǔ)器的內(nèi)容不會(huì)受到外界條件（比如磁場(chǎng)因素）的影響，能夠同普通ROM存儲(chǔ)器一樣具有非易失性的存儲(chǔ)特性。鐵電存儲(chǔ)器速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫(xiě)功耗極低，不存在大寫(xiě)入次數(shù)的問(wèn)題；不過(guò)受到鐵電晶體特性的制約，鐵電存儲(chǔ)器仍有大訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)（也就是讀出次數(shù)）的限制。