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高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和介紹

閱讀:4462        發(fā)布時間:2021/4/16
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高溫四探針測試儀可以實現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其他導電薄膜的方塊電阻。

那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢?

測量電阻率的方法很多,如三探針法、電容 -電壓法、擴展電阻法等,四探針法則是一種廣泛采用的標準方法,高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理,同時采用了雙電測組合四探針法。

直排四探針法

經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率,要求使用等間距的探針,如果針間距離不等或探針有游移,就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時,要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

采用雙電測組合四探針的出現(xiàn),為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創(chuàng)造了有利條件。

目前雙電測組合(亦稱雙位組合)四探針法有三種模式:模式(1),模式(2),模式(3),高溫四探針測試儀采用模式(2),通過用計算機對三種模式的理論進行比較研究的結(jié)果表明:對無窮大被測片三種模式都一樣,可是測量小片或大片邊緣位置時,模式(2)好,它能自動消除邊界影響,略優(yōu)于模式(3),好于模式(1)。

那么高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法有哪些優(yōu)勢呢?

1、采用雙電測組合四探針法進行測試,測試結(jié)果與探針間距無關(guān),能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響,因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭。

2、采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應的功能,對小尺寸被測片或探針在較大樣品邊緣附近時,不需要對樣品做幾何測量,也不必尋找修正因子。

3、采用雙電測組合四探針法,不移動四探針針頭,同時使用三種模式測量,即可計算得到測試部位的電阻均勻性。

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