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CVD: 化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)
CVD: 化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition),用含有目標(biāo)元素的氣體,接收能量后通過(guò)化學(xué)反應(yīng),制備固體薄膜。CVD(化學(xué)氣相沉積)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù),包括大范圍的絕緣材料,大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō),它是很簡(jiǎn)單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi),然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成一種新的材料,沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子,它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。化學(xué)氣相沉積法是傳統(tǒng)的制備薄膜的技術(shù),其原理是利用氣態(tài)的反應(yīng)物,通過(guò)原子、分子間化學(xué)反應(yīng),使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解,而在基體上形成薄膜?;瘜W(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機(jī)化合物沉積等。