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純進口HQ graphene 硫化鈮晶體

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  • 純進口HQ graphene 硫化鈮晶體

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參考價 10300
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具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號
  • 品牌 先豐納米
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 上海市

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更新時間:2025-05-23 12:53:20瀏覽次數(shù):62

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產品簡介

供貨周期 一個月 規(guī)格
貨號 101279    
純度: 99.995%, 尺寸: 約2mm

詳細介紹

產品名稱

中文名稱: 純進口HQ graphene 硫化鈮晶體

英文名稱:HQ graphene NbS2 Crystal

產品概述

NbS2 (2H相)是具有Tc ~6K和電荷密度波(CDW)體系的超導體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,可以剝離成薄的二維層。NbS2屬于v族過渡金屬二硫族(TMDC)。

NbS2 (2H phase) is superconductor with a Tc ~6K and a charge density waves (CDW) system. Note that NbS2 also exists in the 3R-NbS2 phase .The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. NbS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H NbS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2 cm, trigonal/hexagonal shaped and have a metallic appearance. 

技術參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:~2mm

顏色: 灰黑色

產品特點

Electrical properties:Superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type:Synthetic


Purity:>99.995%


應用領域

在電子學領域:

場效應晶體管(FET):硒化銦晶體由于其電學特性,如高載流子遷移率,可用于制造高性能的場效應晶體管。例如,在柔性電子設備中,基于硒化銦晶體的 FET 能夠實現(xiàn)高效的信號傳輸和處理。

存儲器:其電阻可在不同條件下發(fā)生變化,這使得它有望應用于非易失性存儲器,如阻變存儲器(RRAM)。比如,在一些高密度存儲芯片中,硒化銦晶體可以作為存儲單元,實現(xiàn)快速的數(shù)據讀寫和長期的數(shù)據保存。

在光電領域:

光電探測器:對光具有較好的響應,可用于制造高性能的光電探測器。例如,在紅外光探測中,硒化銦晶體能夠將光信號轉換為電信號,應用于安防監(jiān)控系統(tǒng)或通信系統(tǒng)。

太陽能電池:作為太陽能電池的吸收層材料,能夠有效地吸收太陽光并轉化為電能。比如,在新型薄膜太陽能電池中,硒化銦晶體可以提高電池的光電轉換效率。

在傳感器領域:

氣體傳感器:對某些特定氣體具有敏感性,可用于制造氣體傳感器來檢測環(huán)境中的有害氣體。例如,檢測一氧化碳、氨氣等氣體的濃度變化。

在納米技術領域:

納米器件:由于其在納米尺度下的特殊性質,可用于構建納米級別的電子和光電子器件。比如,利用硒化銦晶體制造納米級的場效應晶體管,實現(xiàn)更小尺寸和更高性能的納米電路。

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