1.質(zhì)譜干擾

ICP-MS中質(zhì)譜的干擾(同量異位素干擾)是預知的，而且其數(shù)量少于300個，分辨率為0．8amu的質(zhì)譜儀不能將它們分辨開，例如，58Ni對58Fe、 40Ar對40Ca、40Arl60對56Fe或40Ar-Ar對80Se的干擾(質(zhì)譜疊加)。元素校正方程式(與ICP-AES中干擾譜線校正相同的原理)可用來進行校正，選擇性地選用一些低自然豐度的同位素、采用“冷等離子體炬焰屏蔽技術”或“碰撞池技術”可有效地降低干擾影響。

 

2.基體酸干擾

必須指出，HCI、HCIO4、H3PO4和H2S04將引起相當大的質(zhì)譜干擾。Cl+、P+、S+離子將與其他基體元素Ar+、O+、H+結(jié)合生成多原子，例如，35Cl 40Ar對7s、35Cl160對51V的疊加干擾。因此，在ICP-MS的許多分析中避免使用HCl、HClO4、H3PO4和H2SO4是至關重要的，但這是不可能的?？朔@個問題的方法有“碰撞池技術”、在試樣導入ICP之前使用色譜(微栓)分離、電熱蒸發(fā)(ETV)技術等，另外一個比較昂貴的選擇是使用高分辯率的扇形磁場的ICP-MS，它具有分辯小于0．01amu的能力，可以清除許多質(zhì)譜的干擾。ICP-MS分析用的試液通常用硝酸來配制。

 

3.雙電荷離子干擾

 雙電荷離子產(chǎn)生的質(zhì)譜干擾是單電荷離子M／Z的一半，例如138Ba2+對69Ga+，或208pb2+對104Ru+。這類干擾是比較少的，而且可以在進行分析前將系統(tǒng)佳化而有效地消除。

 

4.基體效應

試液與標準溶液粘度的差別將改變各個溶液產(chǎn)生氣溶膠的效率，采用基體匹配法或內(nèi)標法可有效地消除。

 

5.電離干擾

電離干擾是由于試樣中含有高濃度的第1族和第1I族元素而產(chǎn)生的，采用基體匹配、稀釋試樣、標準加入法、同位素稀釋法、萃取或用色譜分離等措施來解決是有效的。

 

6.空間電荷效應

空間電荷效應主要發(fā)生在截取錐的后面，在此處的凈電荷密度明顯的偏離了零。高的離子密度導致離子束中的離子之間的相互作用，形成重離子存在時首先損失掉輕離子，例如，Pb+對Li3+?；w匹配或仔細在被測物質(zhì)的質(zhì)量范圍內(nèi)選用內(nèi)標有助于補嘗這個影響，但這在實際應用是有困難的。同位素稀釋法雖有效．但費用高，簡單而有效的方法是稀釋樣品。     

 

lCP-AES干擾

 

1. 光譜干擾

ICP-AES的光譜干擾其數(shù)量很大而較難解決，有記錄的ICP-AES的光譜譜線有50000多條，而且基體能引起相當多的問題。因此，對某些樣品，例如，鋼鐵、化工產(chǎn)品及巖石的分析必須使用高分辯率的光譜儀。廣泛應用于固定通道ICP-AES中的干擾元素校正能得到有限度的成功。ICP-AES中的背景較高，需離線背景校正，應用動態(tài)背景校正對增進準確度是很有效的。各種分子粒子(如，OH)的譜峰或譜帶對某些低含量的被測元素會引起一些分析問題，影響其在實際樣品中檢出限。

在ICP-MS中的背景是相當?shù)偷模湫偷氖切∮? C／S(計數(shù)／秒)，這就是ICP-MS具有*的檢出限的一個主要理由。

 

2.基體效應

與ICP-MS一樣，ICP-AES可以應用內(nèi)標來解決例如霧化室效應、試樣與標準溶液之間粘度差異所帶來的基體效應。

 

3.電離干擾

仔細選用每個元素的分析條件或加入電離緩衡劑(如，過量的I族元素)可以減少易電離元素的影響。

   

GFAAS干擾

 

1．光譜干擾

使用氘燈背景校正的GFAAS有少許光譜干擾，但使用Zeeman背景校正的GFAAS能去除這些干擾。

 

2．背景干擾

在原子化過程中，針對不同的基體，應仔細設定灰化步聚的條件以減少背景信號。采用基體改進劑有助于增加可以容許的灰化溫度。在很多GFAAS應用中，與氘燈扣背景相比，Zeeman扣背景可得到更好的準確度。

 

3．氣相干擾

這是由于被測物質(zhì)的原子蒸汽進入一個較冷的氣體環(huán)境而形成的?，F(xiàn)在采用等溫石墨管設計和平臺技術，試樣被原子化后進入一個熱的惰性氣體環(huán)境，可有效減少這種干擾。

 

4．基體效應

基體效應是被測物質(zhì)在石墨管上不同的殘留而生成的，它取決于樣品的種類，應用基體改性劑和熱注射能十分有效地減少這些影響。