在高溫區(qū)(2000℃)將碳化硅SiC粉末升華，將碳化硅SiC氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚為晶體。
目前國際主流大規(guī)模應用的晶體生長方法，具有技術方案成熟、生長過程簡單、設備成本低等特點。技術難點主要為大尺寸襯底制備、缺陷水平控制及良率提升。
加熱模式
SiC PVT長晶爐有電感加熱和電阻加熱加熱兩種加熱模式。
測溫方式
溫度一般需要控制2400℃上下，由于生產(chǎn)過程不可見，為保證晶體生長品質需要精確調控生長溫度，有上測溫、下測溫、或上下測溫等多種形式，高溫計通過石英窗口、保溫層通孔測試坩堝底部或頂部的溫度。
SiC長晶工藝溫度監(jiān)測方案
由于設備結構限制，推薦使用帶有視頻瞄準的高溫計；可以選用以下型號：
推薦一：
IMPAC ISR 6 ， 1000~3000℃ ，雙色，高溫，小光斑
推薦二：
IMPAC IGAR 6 Smart ，100~2550℃ ，雙色，寬量程，低高溫兼顧
推薦三：
IMPAC IGA 6 ，250~2550℃ ，單色，寬量程，低高溫兼顧
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