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相控陣檢測內(nèi)壁腐蝕試驗
導(dǎo)語：
本文是以前做過的一個試驗，現(xiàn)場有一 處容器需要測定腐蝕情況，測腐蝕我們傳統(tǒng)的方式是采用測厚儀，在現(xiàn)場工件上畫格子線進(jìn)行單點(diǎn)測厚，本次業(yè)主要求測厚需要采用可記錄的方式，何為可記錄方式？理解可記錄至少檢測結(jié)果可存儲、檢測位置可追溯。小編想采用相控陣檢測會是什么效果，于是采用相控陣進(jìn)行試驗，下面是試驗結(jié)果。
一、試驗準(zhǔn)備：
1、檢測系統(tǒng)
設(shè)備：OLYMPUS OmniScan MX2；
探頭：5L16-A10;
楔塊：0L-A10;
編碼器：mini編碼器
2、采用試塊
階梯平底孔試塊（φ8mm平底孔），結(jié)構(gòu)形式見圖1：
圖1.階梯試塊結(jié)構(gòu)形式
二、試驗過程及檢測結(jié)果
1、首先對設(shè)備探頭進(jìn)行及楔塊進(jìn)行選擇（相控陣設(shè)備內(nèi)置一些探頭及楔塊的參數(shù)，需要根據(jù)實際應(yīng)用的型號選擇，確保定位、定量的準(zhǔn)確性。如設(shè)備中無內(nèi)置信息需要自定義進(jìn)行設(shè)置）。
2、本文未對TCG（時間增益修正）進(jìn)行校準(zhǔn)，只是針對不同的聚焦法則下進(jìn)行比對檢測。
3、聚焦法則的設(shè)置：采用0度線掃描，激發(fā)孔徑為4晶片，激發(fā)起始晶片為1，終止晶片為16，連接mini掃查器，檢測由厚至薄，探頭聲束通過底片平底孔，檢測效果見圖2.
圖2.激發(fā)四晶片線掃描檢測結(jié)果
3、聚焦法則的設(shè)置：
采用0度線掃描，激發(fā)孔徑為4晶片，激發(fā)起始晶片為1，終止晶片為16，連接mini掃查器，檢測由厚至薄，探頭聲束通過底片平底孔，檢測效果見圖3.
圖3.激發(fā)八晶片線掃描檢測結(jié)果
4、結(jié)論：
采用OmniScan MX2檢測腐蝕，線掃描可用，B掃描檢測結(jié)果直觀（板厚變化明顯，平底孔顯示清晰）定量準(zhǔn)確，C掃描檢測結(jié)果直觀易見，無法對面積定量，索引軸為未校正標(biāo)尺，無法對面積進(jìn)行定量。可采用TOMview，進(jìn)行體積融合。