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美國(guó)SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)
美國(guó)SVT公司是世界*的MBE供應(yīng)商，具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗(yàn)。
占據(jù)美國(guó)主要科研市場(chǎng)的SVT分子束外延系統(tǒng)，以其專(zhuān)業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長(zhǎng)技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。
SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺(tái)。
SVT公司建立完善的售后服
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
美國(guó)SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)
美國(guó)SVT公司是世界*的MBE供應(yīng)商，具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn)。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗(yàn)。
占據(jù)美國(guó)主要科研市場(chǎng)的SVT分子束外延系統(tǒng)，以其專(zhuān)業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長(zhǎng)技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。
SVT公司擁有獨(dú)立的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺(tái)。
SVT公司建立完善的售后服務(wù)體系。在北京、香港、美國(guó)總部都有服務(wù)工程師。
型 號(hào) | 應(yīng) 用 | 樣 品 尺 寸 |
35-4 | III-V, 或其他化合物半導(dǎo)體 | 4’’ |
35-N | 氮化物半導(dǎo)體 | 4’’或3X2’’ |
35-6 | III-V或II-VI 或其他化合物半導(dǎo)體 | 4’’, 6’’或多片2’’ |
35-G-4 | III-V化合物，SiGe | 4’’ |
SM-6 | Si，Ge，金屬 | 4’’或6’’ |
S-8 | Si，Ge，介質(zhì)材料 | zui大8’’可配集成腔室 |
SVT-V | 化合物半導(dǎo)體，氮化物，氧化物，鐵磁材料 | 2’’或3’’ |
35-D | 雙生長(zhǎng)腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半導(dǎo)體，鐵磁材料 | 3’’或4’’ |
35-V | CIGS | 3’’或4’’ |
NanoFab | II-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料 | 1’’或2’’ |
UVD-02 | 氧化物或其他介質(zhì)材料 | 4’’, 可配有液態(tài)源 |
PLD-02 | 氧化物半導(dǎo)體、高溫超導(dǎo)材料、光學(xué)晶體材料、電光學(xué)薄膜、鐵電以及鐵磁材料等 | 4’’, 激光/電子束沉積 |
35V14 | 化合物半導(dǎo)體，氮化物，氧化物，鐵磁材料 | 14’’或多個(gè)小尺寸 |
SVT MBE系統(tǒng)是模塊化設(shè)計(jì)，主要包括裝載室模塊，預(yù)備或分析室模塊，主生長(zhǎng)室模塊。可配10個(gè)源，線性移動(dòng)擋板。每個(gè)模塊都有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)。模塊間有閘板閥相互隔離，互不影響。
Model 35-6 AlGaAs（或其他半導(dǎo)體材料）研究和生產(chǎn)型設(shè)備，
樣品尺寸可達(dá)6英寸。
可容納10個(gè)cell。
真空度< 1×10-10Torr。
可配普通束流源，裂解源，RF源，電子束蒸發(fā)源。
Model 35-N-V 標(biāo)準(zhǔn)4''襯底MBE平臺(tái)，用于生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化物半導(dǎo)體材料。
可容納10個(gè)cell。
真空度< 1×10-10Torr。
設(shè)計(jì)考慮了嚴(yán)格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器。
氮源的種類(lèi)包括RF氮源和氨氣入射源。
26-O-V 氧化物MBE系統(tǒng)具有彈性配置。
真空度< 1×10-10Torr。
此多元化MBE平臺(tái)可以生長(zhǎng)研究各種氧化物材料。
該系統(tǒng)可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個(gè)熱蒸發(fā)源或等離子源等。
氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號(hào)。
Model SM-6 SiGe系統(tǒng)用于生長(zhǎng)高質(zhì)量的Si/Ge及相關(guān)化合物。
真空度< 1×10-10Torr。
可容納9個(gè)普通源及1個(gè)電子束蒸發(fā)源，或6個(gè)普通源及2個(gè)電子束蒸發(fā)源。
該系統(tǒng)集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術(shù)，
并通過(guò)傳感器反饋控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)薄膜制備的高度再現(xiàn)性。