鉭電容器的陽極選擇
電解電容, 超級(jí)電容器, 薄膜電容, 貼片電容, 安規(guī)電容, ...
開關(guān)式電源,微處理器和數(shù)字電路應(yīng)用的一個(gè)共同趨勢(shì)是降低高頻工作時(shí)的噪聲。為了做到這一點(diǎn),元器件必須具備低ESR(電阻率)、高電容和高可靠性。
鉭電容器陽極的總體表面積,特別是其表面積與體積比,是確定其ESR值的關(guān)鍵參數(shù)之一,總表面積越大,ESR值越大。使用多陽極是大幅降低鉭電容器ESR值的其中一種方法,其做法是在一個(gè)電容體中使用多個(gè)相同的電極材料。
傳統(tǒng)的做法
在高壽命和高可靠性應(yīng)用中,二氧化錳電板極常規(guī)鉭電容器仍然是一個(gè)普遍的選擇。二氧化錳技術(shù)能提供*的場(chǎng)性能和環(huán)境穩(wěn)定性以及在很寬的電壓范圍如2.5~50V內(nèi)提供高電阻率和熱阻率,器件設(shè)計(jì)的運(yùn)行溫度在125℃以上。然而,與聚合物鉭電容器相比,二氧化錳電極系統(tǒng)較高的ESR是一個(gè)缺點(diǎn)。
陽極選擇
單一陽極技術(shù)成為標(biāo)準(zhǔn)通用型選擇是由于其出色的性價(jià)比。多陽極設(shè)計(jì)可提供更低的ESR值,但其缺點(diǎn)是生產(chǎn)成本要高于單陽極解決方案。
使用標(biāo)準(zhǔn)的芯片集成工藝的槽式陽極設(shè)計(jì)是低ESR與低成本折中的一種結(jié)果。因此,槽式設(shè)計(jì)通常用于價(jià)格敏感同時(shí)要求低ESR的設(shè)計(jì),而多陽極技術(shù)適合用于既要求低ESR更要求高可靠性的應(yīng)用中,如電信基礎(chǔ)設(shè)施、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和軍事/航空航天等應(yīng)用。
除了上述差異,多陽極的概念有另兩處優(yōu)勢(shì)。
(1)多陽極設(shè)計(jì)具有更好的散熱性能,這意味著多陽極電容可以承載更高的持續(xù)電流;同理,多陽極電容對(duì)抗電流浪涌危害的能力也更強(qiáng)。
(2)相較于單一的陽極,多陽極電容的單位容積效率較低,這導(dǎo)致了一種假設(shè),認(rèn)為多陽極不能達(dá)到與單一陽極一樣的CV(定電壓因素)。事實(shí)上,薄的陽極實(shí)現(xiàn)起來更容易,并且更易被第二個(gè)二氧化錳電極系統(tǒng)穿透,使更高的CV得以利用,因此,多陽極電容器能達(dá)到同樣甚至更高的CV水平。
常見多陽極類型
當(dāng)今市場(chǎng)上常用的鉭多陽極通常采用縱向排列3~5個(gè)陽極于一個(gè)電容體內(nèi)的方法實(shí)現(xiàn),如圖1所示。這實(shí)際是從制造的角度來看的,如果從ESR的角度,此解決辦法則不如橫向布局,橫向布局中更薄的平板陽極有望進(jìn)一步減小ESR。
圖1 多陽極裝置在一個(gè)電容器體中使用兩個(gè)或兩個(gè)以上的陽極
新的多陽極裝置多陽極設(shè)計(jì)的費(fèi)用隨其陽極個(gè)數(shù)增長而成倍增長。目前大多數(shù)設(shè)計(jì)中使用的三陽極設(shè)計(jì)已接近成本與ESR的*優(yōu)化比。
縱向設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)中,一個(gè)陽極通過電極銀膠環(huán)氧樹脂連接到第二個(gè),再到另一個(gè)電極引線框。同樣的做法被使用于標(biāo)準(zhǔn)的單陽極電容中,因此其制造技術(shù)與舊有的類似,無須為多陽極設(shè)計(jì)的新技術(shù)環(huán)節(jié)追加很多額外投資。
另一方面,橫向設(shè)計(jì)需要為陽極之間的連接產(chǎn)生新的解決方法,這直接導(dǎo)致了代價(jià)高昂的技術(shù)修改。因此,迄今為止這種設(shè)計(jì)并沒有被用于單一多陽極電容的批量生產(chǎn)。橫向的設(shè)計(jì)更經(jīng)常使用于一些特殊應(yīng)用中,方式是通過焊接或跳汰系統(tǒng),將兩個(gè)或兩個(gè)以上完整的電容器疊加到陣列或模塊中。
橫向和縱向結(jié)構(gòu)兩者ESR性能之間的差異如圖2所示。這個(gè)例子是基于對(duì)D類電容器的理論計(jì)算,圖2表明,兩陽極橫向結(jié)構(gòu)與三陽極系統(tǒng)的縱向結(jié)構(gòu)的ESR值相似。然而,相對(duì)而言橫向結(jié)構(gòu)在ESR上性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更顯著。