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英特爾3D結構晶體管的原理
閱讀：622 發(fā)布時間：2016-4-13
英特爾5月5日在其北京的中國研究院宣布，22nm三柵極（Tri-Gate）的革命性3D晶體管將批量生產，還將在2011年底前批量投產研發(fā)代號為Ivy Bridge的22nm微處理器芯片，首先用于筆記本電腦、服務器和臺式機。其革命性體現在把已延續(xù)了50多年的2D平面晶體管結構突破到了3D結構且可批量生產，這堪稱一個里程碑式的標志。目前，除了英特爾之外，還沒有其他任何一家廠商可以做到這一點。
雖然英特爾沒有公布3D結構晶體管用于低功耗凌動處理器的具體時間表，但英特爾大連芯片廠總兼技術與制造事業(yè)部亞洲區(qū)發(fā)言人Kirby Jefferson表示：“會很快。”由此可以預期，一旦采用3D三柵極晶體管的凌動處理器進入市場，在低功耗、低成本的嵌入式領域必將掀起一場滔天巨浪。屆時，I-A（英特爾與ARM）大戰(zhàn)將正式進入貼身白熱化的程度，ARM將面臨來自22nm工藝3D三柵極晶體管技術的強勁挑戰(zhàn)。
隨著英特爾3D三柵極晶體管消息的發(fā)布，ARM股價應聲狂跌了7.3%，而英特爾股價則趁勢上漲了1.95%。不管未來I-A戰(zhàn)役雙方勝負結果如何，可以肯定的是，消費者將會享受到價格更低、功耗更小、性能更高的嵌入式消費電子產品帶來的愉悅體驗。
下面來看看3D三柵極晶體管的技術特性。在低電壓時，22nm工藝的3D三柵極晶體管比此前的32nm平面晶體管柵極延遲，即開關速度快了37%，功耗降低了50%。