Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器的波長(zhǎng)范圍在400-740nm之間，也可以稱之為400-740nm光電探測(cè)器?？梢?jiàn)光增強(qiáng)型探測(cè)器波長(zhǎng)為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。Opto Diode光電二極管波長(zhǎng)為632nm時(shí)最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W。
Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器
Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器，低電容，400-740nm
Opto Diode提供高質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)和定制的可見(jiàn)光譜硅光電二極管。我們有各種各樣低暗電流和低電容的器件。400-740nm光電探測(cè)器可以在400-740nm之間的響應(yīng)，我們生產(chǎn)的紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器適用于許多應(yīng)用。對(duì)于大批量的需求，您可以直接找我們訂購(gòu)。
Opto Diode光電二極管存儲(chǔ)和操作溫度范圍為-55°C至100°C，最高結(jié)點(diǎn)溫度100°C，引線焊接溫度260°C。Opto Diode可見(jiàn)光增強(qiáng)型探測(cè)器總共有14個(gè)型號(hào)，有效面積為1~42mm2，用三種方式進(jìn)行密封包裝，這三種方式分別是TO-5、TO-8、TO-18。Opto Diode可見(jiàn)光增強(qiáng)型探測(cè)器有低暗電流、低電容、圓形有效區(qū)域、芯片尺寸可以優(yōu)化等特點(diǎn)，優(yōu)化的芯片尺寸可以獲得最大的信號(hào)。
Opto Diode可見(jiàn)光增強(qiáng)型探測(cè)器是增強(qiáng)型光電二極管，紅色增強(qiáng)型光電二極管標(biāo)準(zhǔn)品的波長(zhǎng)為632nm，藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管標(biāo)準(zhǔn)品的波長(zhǎng)為450nm。對(duì)于紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器的其他波長(zhǎng)可以找我們定制，藍(lán)色增強(qiáng)型探測(cè)器波長(zhǎng)為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。紅色增強(qiáng)型探測(cè)器波長(zhǎng)為632nm時(shí)最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W。
ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB在25°時(shí)的光電特性
TO-18封裝、低成本格式、低暗電流、低電容。
活動(dòng)區(qū)域是1.35mmx0.76mm時(shí), 活動(dòng)區(qū)域的典型值是1mm2。VR=10V時(shí)暗電流的典型值是0.2nA，最大值是1nA。當(dāng)電阻的電流為IR=10µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。VR=10V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為8納秒，最大值是15納秒。在Vf=1V時(shí)，串聯(lián)電阻的典型值為25歐姆，最大值是60歐姆。ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB的特點(diǎn)一樣，除了靈敏度和電容不一樣。ODD-1B和ODD-1WB在450nm的波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W，當(dāng)電阻的電壓是VR=10V時(shí)，電容最大值是2pF，典型值是0.5pF。ODD-1和ODD-1W在632的波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.36A/W，典型值是0.40 A/W，當(dāng)電阻的電壓是VR=10V時(shí)，電容最大值是2pF，典型值是0.2pF。
ODD-12W、ODD-12WB（紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器）在25°時(shí)的光電特性
TO-8密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。
在直徑為4mm測(cè)試條件下，活動(dòng)區(qū)域的典型值是12mm2。在VR=10V測(cè)試條件下，暗電流的典型值是3nA，最大值是7nA。在電阻的電流為IR=10µA測(cè)試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測(cè)試條件下，電容的典型值是25pF。在VR=10V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為15納秒。在Vf=1V時(shí)，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-12W和ODD-12WB除了靈敏度不一樣，其他都一樣，ODD-12W在632nm的波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-12WB波長(zhǎng)為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。
ODD-15W、ODD-15WB紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器在25°時(shí)的光電特性
TO-5密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得最大的信號(hào)、低電容。
在6.27mmx2.52mm測(cè)試條件下，活動(dòng)區(qū)域的典型值是15.8mm2。在VR=10V測(cè)試條件下，暗電流的典型值是4nA，最大值是10nA。在電阻的電流為IR=10µA測(cè)試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測(cè)試條件下，電容的典型值是30pF。在VR=10V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為20納秒。在Vf=1V時(shí)，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-15W和ODD-15WB的特點(diǎn)一樣，除了波長(zhǎng)的靈敏度不一樣，ODD-15W波長(zhǎng)為632nm時(shí)靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-15WB波長(zhǎng)是450nm, 靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。
ODD-42W、ODD-42WB紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器在25°時(shí)的光電特性
TO-8密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得最大的信號(hào)、低電容。
在9.91mmx4.28mm測(cè)試條件下，活動(dòng)區(qū)域的典型值是42mm2。在VR=10V測(cè)試條件下，暗電流的典型值是11nA，最大值是25nA。在電阻的電流為IR=10µA測(cè)試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測(cè)試條件下，電容的典型值是85pF。在VR=10V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為35納秒。在Vf=1V時(shí)，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-42W和ODD-42WB只有靈敏度不一樣，ODD-42W波長(zhǎng)為632nm時(shí)靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-42WB波長(zhǎng)為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。
ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL在25°時(shí)的光電特性
TO-5密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。
在直徑為2.52mm測(cè)試條件下，活動(dòng)區(qū)域的典型值是5mm2。在VR=10V測(cè)試條件下，暗電流的典型值是1nA，最大值是3nA。在電阻的電流為IR=10µA測(cè)試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測(cè)試條件下，電容的典型值是11pF。在VR=10V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為10納秒。在Vf=1V時(shí)，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL的特點(diǎn)一樣，除了靈敏度不一樣，ODD-5W和ODD-5WISOL在632nm的波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-5WB和ODD-5WBISOL在450nm的波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28 A/W。
ODD-1型號(hào)光電特性圖
從電容與偏置電壓圖中可以看到電容與偏置電壓成反比，電容隨著偏置電壓的增大而減小。從典型的光譜響應(yīng)圖中可以看到靈敏度隨著波長(zhǎng)增加而變大，當(dāng)波長(zhǎng)達(dá)到980nm左右，靈敏度達(dá)到最大值。當(dāng)達(dá)到最大值后，靈敏度會(huì)隨著波長(zhǎng)增加而減小。從暗電流與電容關(guān)系圖中，可以看到暗電流隨著電壓的增大而增加。想知道更多型號(hào)的光電特性圖，可以聯(lián)系我們。
Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測(cè)器
