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北京亞科晨旭科技有限公司
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當(dāng)前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>薄膜沉積CVD>> ICP-500D薄膜沉積CVD

薄膜沉積CVD

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號ICP-500D

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地北京市

更新時(shí)間:2024-10-12 15:04:52瀏覽次數(shù):399次

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SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜。可在極低溫度下(< 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實(shí)現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應(yīng)力的連續(xù)調(diào)節(jié)。

SENTECH ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D

 

是主流的半導(dǎo)體設(shè)備商,研發(fā)、制造和銷售良好的薄膜測量儀器(反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀)和等離子工藝設(shè)備(等離子刻蝕機(jī)、等離子沉積系統(tǒng)、用戶定制系統(tǒng))。

SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜??稍跇O低溫度下(< 100ºC)沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜??梢詫?shí)現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應(yīng)力的連續(xù)調(diào)節(jié)。

 

 

SI 500 D主要特點(diǎn):

  • 適用于8寸以及以下晶片

  • 低溫沉積高質(zhì)量電介質(zhì)膜:80°C~350°C

  • 高速率沉積

  • 低損傷

  • 薄膜特性 (厚度、折射率、應(yīng)力) 連續(xù)可調(diào)

  • 平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

  • SENTECH高級等離子設(shè)備操作軟件

  • 穿墻式安裝方式

 

系統(tǒng)配置:

 

 

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