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影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素
影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素有如下幾點(diǎn)：
（1）溫度的影響。溫度對tanδ有直接影響，其程度隨絕緣材料、設(shè)備結(jié)構(gòu)的不同而異。一般情況下，tanδ隨溫度升高而增大，為了便于比較，應(yīng)將不同溫度下測得的tanδ值換算至20℃，再進(jìn)行比較。
油浸式電力變壓器的溫度換算公式為：
tanδ2=tanδ1×1.3（t1-t2）/10
式中，tanδ1、tanδ2分別為t1、t2時(shí)的tanδ值。
由于被試品的真實(shí)平均溫度很難測準(zhǔn)，對換算結(jié)果的正確性收到影響。因此，應(yīng)盡可能在10-30℃溫度下進(jìn)行測量，每次在相近溫度下測量。
受潮的絕緣材料在0℃以下時(shí)水分會(huì)凍結(jié)，tanδ會(huì)降低。因此，過低溫度下測得的tanδ不能反映真實(shí)的絕緣狀況，故測量tanδ的溫度不應(yīng)低于5℃。
（2）試驗(yàn)電壓的影響。良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若內(nèi)部有缺陷，則其tanδ將隨試驗(yàn)電壓的升高而明顯增加。
（3）Tanδ與試品電容的關(guān)系。對電容量較小的設(shè)備（如套管、互感器、耦合電容器等），測量tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷。但對電容量較大的設(shè)備（如大、中型變壓器等），測量tanδ只能發(fā)現(xiàn)絕緣的整體分布性缺陷，因?yàn)榫植考行缘娜毕菟鸬膿p壞增加只占總損耗的小部分，容易被掩蓋，設(shè)備絕緣結(jié)構(gòu)總是由許多部件構(gòu)成并包含多種材料，可以看成是由許多串、并聯(lián)等值回路組成。