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WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置
  • WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

貨物所在地:北京北京市

地: 北京

更新時(shí)間:2024-12-20 20:00:38

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

關(guān)鍵詞:晶圓,均勻,6寸


晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

主要技術(shù)參數(shù);

1、溫度:室溫-200℃,650℃,1000℃,

2、加熱速率:40/min,

3、加熱臺(tái)尺寸:6寸,8寸,12寸等可以定制

4、控溫精度:±1

5、加熱溫度均勻度允許誤差:±1

6、加熱臺(tái)需可抗壓:100KN

7、可配合各種電學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行電學(xué)數(shù)據(jù)功能采集

8、表面處理:鍍膜,鍍金或是黑礬石

9、熱臺(tái)材質(zhì):不銹鋼或銅

10、可以配合各種電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)及探針測(cè)試



              6寸晶圓在不同溫度下均勻性




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