控溫精度：優(yōu)于 ±0.1℃

溫度梯度：柱有效區(qū)域不大于1%

溫度偏差：設(shè)定溫度與顯示溫度之間偏差不大于 1℃

溫度偏差：設(shè)定溫度與實(shí)際溫度之間偏差不大于 2%

程序升溫階數(shù)

8 階（用戶要求）

升溫速率

0.1～30℃/min

線性程序升溫范圍

每分鐘30℃時(shí)低于150℃
每分鐘15℃時(shí)低于300℃
每分鐘10℃時(shí)低于350℃

初溫終溫控制時(shí)間

0 ～ 600 min

程序升溫的重復(fù)性

不大于2%

降溫速度

由300℃降至50℃所需時(shí)間不大于15 min
（氣化室、檢測器溫度300℃時(shí)）

氣化室

控溫精度：±0.1℃（室溫+15℃ ～ 200℃）
　　　　　大于200℃為±0.2℃

檢測室

控溫精度：±0.1℃（室溫+15℃ ～ 200℃）
　　　　　大于200℃為±0.2℃

氫火焰離子檢測器（FID）

檢測限 ：不大于2×10-11g/s（苯）

噪聲：不大于0.025 mV

漂移：不大于 0.15 mV/h

熱導(dǎo)池檢測器（TCD）

靈敏度：不小于 3000 mV·mL/mg（苯）

噪聲：不大于 0.035 mV

漂移：不大于 0.5 mV/h

主機(jī)（TCD）

電源：AC 220V 50Hz

外形尺寸：620 mm (L) × 490 mm (W) × 480 mm (H)

主機(jī)重量：55 kg