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二手日本電子 掃描電鏡 IT-200交付現(xiàn)場(chǎng)
閱讀：26 發(fā)布時(shí)間：2025-7-18
二手日本電子 掃描電鏡 IT-200交付現(xiàn)場(chǎng)
在2025年7月北京某新材料實(shí)驗(yàn)室工廠內(nèi)部實(shí)驗(yàn)室成功從我公司購(gòu)買(mǎi)日本電子掃描電鏡IT-200掃描電鏡，從現(xiàn)場(chǎng)交流技術(shù)和應(yīng)用測(cè)樣到簽訂合同交付儀器現(xiàn)場(chǎng)
只用了7個(gè)工作日時(shí)間，深圳心怡創(chuàng)科技效率的為客戶(hù)服務(wù)宗旨：以下是交付現(xiàn)場(chǎng)：
儀器配置如下：日本電子掃描電鏡IT-200+電腦+操作軟件+樣品臺(tái)+操作臺(tái)+真空泵：
裝機(jī)地點(diǎn)：北京
在公司陳工的裝機(jī)現(xiàn)場(chǎng)，儀器性能再次確認(rèn)和樣品的分析，得到客戶(hù)很好的反饋和專(zhuān)業(yè)的給與。感謝客戶(hù)的認(rèn)可。
JSM-IT200性能參數(shù)
Main Performance on JSM-IT200A
Performance (一) 主要性能 | |
SEI Mode Resolution 二次電子圖像分辨率 | 3.0nm @ 30KV WD 8mm 8.0nm @ 3KV WD 6mm 15.0nm @ 1KV WD 6mm |
BEI Mode Resolution 背散射電子模式分辨率 | 4.0nm@30KV |
Magnification 放大倍數(shù) | ×5~×300,000（底片倍率） ×14~×839,724（顯示器倍率） |
Detectors 探測(cè)器 | Secondary Electron Detector 二次電子探測(cè)器 ★Semiconductor Backscattered Electron Detector(patent) 半導(dǎo)體型背散射電子探測(cè)器(技術(shù)) |
Image Mode 圖像模式 | Secondary Electron Image 二次電子圖像 REF Image REF像 Composition Image (Backscattered Electron Image) 成份像 (背散射電子圖像) Topography Image (Backscattered Electron Image) 形貌像 (背散射電子圖像) Shadow Image (Backscattered Electron Image) 立體像 (背散射電子圖像) |
Live Image Display 實(shí)時(shí)圖像顯示 | Dual Live Image Display, Split Live Image, 雙實(shí)時(shí)圖像同時(shí)顯示, 分割實(shí)時(shí)圖像顯示 |
Accelerating Voltage 加速電壓 | 0.5KV ~ 30KV |
Probe Current 探針束流 | 1pA ~ 0.3uA |